HEMT GaN en SiC de RF de alta potencia GTVA

Los HEMT GaN en SiC de RF de alta potencia GTVA de Wolfspeed / Cree son transistores de alta movilidad de electrones (HEMT) de 50 V basados en la tecnología de nitrito de galio en carburo de silicio. Los dispositivos GaN en SiC ofrecen una densidad de alta potencia combinada con un alto voltaje de ruptura, lo que permite admitir amplificadres de potencia altamente eficientes. Los HEMT GaN en SiC de RF de alta potencia GTVA incluyen sincronización de entradas, alta eficiencia y paquetes mejorados a nivel térmico. Estos dispositivos pulsados o de CW (onda continua) tienen un ancho de pulso de 128µs y un ciclo de trabajo del 10 %.

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Descripción Hoja de datos Disponibilidad Precio: (CRC) Filtre los resultados en la tabla por precio unitario en función de su cantidad.
Cantidad RoHS Modelo ECAD Estilo de montaje
Paquete / Cubierta
Polaridad del transistor
Vds - Tensión disruptiva entre drenaje y fuente
Id - Corriente de drenaje continua
Vgs th - Tensión umbral entre puerta y fuente

MACOM GaN FETs GaN HEMT 50V 1.2-1.4GHz 600W
Hoja de datos
9En existencias
MouseReel Disponible
Min.: 1
Mult.: 1
Carrete: 50

Screw Mount H-36248-2 N-Channel 150 V 10 A - 3 V

MACOM GaN FETs GaN HEMT 50V 0.9-1.2GHz 700W
Hoja de datos
No en existencias
Min.: 250
Mult.: 250
Carrete: 250

Screw Mount H-36248-2 N-Channel 150 V 10 A - 3 V

MACOM GaN FETs GaN HEMT 50V 0.9-1.2GHz 700W
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Plazo de entrega no en existencias 26 Semanas
Min.: 50
Mult.: 50
Carrete: 50

Screw Mount H-36248-2 N-Channel 150 V 10 A - 3 V