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NVMTS0D4N04CLTXG

Name: onsemi NVMTS0D4N04CLTXG
Brand: onsemi
SKU: 863-NVMTS0D4N04CLTXG
Price: 6461.2 CRC
Availability: InStock

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Mouser N.º:

863-NVMTS0D4N04CLTXG

Fabricante N.º:

NVMTS0D4N04CLTXG

Fabricante:

onsemi

Descripción:

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) AFSM T6 40V LL NCH

Hoja de datos:

NVMTS0D4N04CLTXG Hoja de datos

Modelo ECAD:

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₡-,--

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₡-,--

Est. Tarifa:

Empaque:

Envase tipo carrete completo (pedir en múltiplos de 3000)

Cinta cortada

MouseReel™ (+₡4 100,00)

Precio (CRC)

Cantidad	Precio unitario	Precio ext.
Cinta cortada / MouseReel™ ^†
	₡6 461,20	₡6 461,20
	₡4 506,60	₡45 066,00
	₡3 799,00	₡379 900,00
	₡3 706,20	₡3 706 200,00
Envase tipo carrete completo (pedir en múltiplos de 3000)
	₡3 097,20	₡9 291 600,00

† ₡4 100,00 Se agregará y calculará la tarifa de MouseReel™ en su carrito de compras. Ningún artículo de MouseReel™ se puede cancelar ni devolver. ↩

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Atributo del producto	Valor de atributo	Seleccionar atributo
Fabricante:	onsemi
Categoría de producto:	Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET)
REACH - SVHC:
Tecnología:	Si
Estilo de montaje:	SMD/SMT
Paquete / Cubierta:	PQFN-88-8
Polaridad del transistor:	N-Channel
Número de canales:	1 Channel
Vds - Tensión disruptiva entre drenaje y fuente:	40 V
Id - Corriente de drenaje continua:	553.8 A
Rds On - Resistencia entre drenaje y fuente:	400 uOhms
Vgs - Tensión entre puerta y fuente:	- 20 V, 20 V
Vgs th - Tensión umbral entre puerta y fuente:	2.5 V
Qg - Carga de puerta:	341 nC
Temperatura de trabajo mínima:	- 55 C
Temperatura de trabajo máxima:	+ 175 C
Dp - Disipación de potencia :	244 W
Modo canal:	Enhancement
Calificación:	AEC-Q101
Empaquetado:	Reel
Empaquetado:	Cut Tape
Empaquetado:	MouseReel
Marca:	onsemi
Configuración:	Single
Tiempo de caída:	107 ns
Transconductancia hacia delante - Mín.:	330 S
Tipo de producto:	MOSFETs
Tiempo de subida:	147 ns
Serie:	NVMTS0D4N04CL
Cantidad de empaque de fábrica:	3000
Subcategoría:	Transistors
Tipo de transistor:	1 N-Channel
Tiempo de retardo de apagado típico:	217 ns
Tiempo típico de demora de encendido:	110 ns
Peso de la unidad:	4,096 g

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PCN

CNHTS:: 8541290000
CAHTS:: 8541290000
USHTS:: 8541290065
JPHTS:: 854129000
TARIC:: 8541290000
MXHTS:: 8541299900
ECCN:: EAR99

Trench6 N-Channel MV MOSFETs

onsemi Trench6 N-Channel MV MOSFETs are 30V, 40V, and 60V MOSFETs produced using an advanced Power Trench process that incorporates Shielded Gate technology. This process has been optimized to minimize on-state resistance and yet maintain superior switching performance with best in class soft body diode.

NVMTS0D4N04CL 40V Power MOSFET

onsemi NVMTS0D4N04CL 40V Power MOSFET is AEC-Q101 qualified and PPAP capable, making it ideal for automotive applications. This single N-channel power MOSFET offers high thermal performance, low ON resistance, low gate charge, and low capacitance, minimizing conduction losses. The NVMTS0D4N04CL is offered in a compact 8mm x 8mm flat DFNW package with wettable flanks for enhanced optical inspection.