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GCMS040B120S1-E1

Name: SemiQ GCMS040B120S1-E1
Brand: SemiQ
SKU: 148-GCMS040B120S1-E1
Price: 16865.89 CRC
Availability: InStock

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Mouser N.º:

148-GCMS040B120S1-E1

Fabricante N.º:

GCMS040B120S1-E1

Fabricante:

SemiQ

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Atributo del producto	Valor de atributo	Seleccionar atributo
Fabricante:	SemiQ
Categoría de producto:	Módulos MOSFET
RoHS:
REACH - SVHC:
Tecnología:	SiC
Estilo de montaje:	Screw Mount
Paquete / Cubierta:	SOT-227-4
Polaridad del transistor:	N-Channel
Vds - Tensión disruptiva entre drenaje y fuente:	1.2 kV
Id - Corriente de drenaje continua:	57 A
Rds On - Resistencia entre drenaje y fuente:	52 mOhms
Vgs - Tensión entre puerta y fuente:	- 25 V, + 25 V
Vgs th - Tensión umbral entre puerta y fuente:	4 V
Temperatura de trabajo mínima:	- 55 C
Temperatura de trabajo máxima:	+ 175 C
Dp - Disipación de potencia :	242 W
Empaquetado:	Tube
Marca:	SemiQ
País de ensamblaje:	Not Available
País de difusión:	Not Available
País de origen:	PH
Tiempo de caída:	16 ns
Tipo de producto:	MOSFET Modules
Tiempo de subida:	5 ns
Cantidad de empaque de fábrica:	10
Subcategoría:	Discrete and Power Modules
Tipo:	COPACK Power Module
Tiempo de retardo de apagado típico:	21 ns
Tiempo típico de demora de encendido:	15 ns
Vf - Tensión directa:	1.52 V