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RJ1N04BBHTL1

Name: ROHM Semiconductor RJ1N04BBHTL1
Brand: ROHM Semiconductor
SKU: 755-RJ1N04BBHTL1
Price: 2331.68 CRC
Availability: InStock

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Mouser N.º:

755-RJ1N04BBHTL1

Fabricante N.º:

RJ1N04BBHTL1

Fabricante:

ROHM Semiconductor

Descripción:

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) Nch 80V 100A, TO-263AB, Power MOSFET

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Cantidad	Precio unitario	Precio ext.
	₡2 331,68	₡2 331,68
	₡1 535,37	₡15 353,70
	₡1 082,57	₡108 257,00
	₡926,43	₡463 215,00
Envase tipo carrete completo (pedir en múltiplos de 800)
	₡926,43	₡741 144,00

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Atributo del producto	Valor de atributo	Seleccionar atributo
Fabricante:	ROHM Semiconductor
Categoría de producto:	Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET)
RoHS:
Tecnología:	Si
Estilo de montaje:	SMD/SMT
Paquete / Cubierta:	TO-263AB-3
Polaridad del transistor:	N-Channel
Número de canales:	1 Channel
Vds - Tensión disruptiva entre drenaje y fuente:	80 V
Id - Corriente de drenaje continua:	100 A
Rds On - Resistencia entre drenaje y fuente:	5.3 mOhms
Vgs - Tensión entre puerta y fuente:	20 V
Vgs th - Tensión umbral entre puerta y fuente:	4 V
Qg - Carga de puerta:	46 nC
Temperatura de trabajo mínima:	- 55 C
Temperatura de trabajo máxima:	+ 150 C
Dp - Disipación de potencia :	89 W
Modo canal:	Enhancement
Empaquetado:	Reel
Empaquetado:	Cut Tape
Marca:	ROHM Semiconductor
Configuración:	Single
Tiempo de caída:	38 ns
Transconductancia hacia delante - Mín.:	20 S
Tipo de producto:	MOSFETs
Tiempo de subida:	14 ns
Cantidad de empaque de fábrica:	800
Subcategoría:	Transistors
Tipo de transistor:	1 N-Channel
Tiempo de retardo de apagado típico:	65 ns
Tiempo típico de demora de encendido:	30 ns

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Códigos de cumplimiento

CAHTS:: 8541290000
USHTS:: 8541290065
JPHTS:: 854129000
TARIC:: 8541290000
MXHTS:: 8541299900
ECCN:: EAR99

Clasificaciones de origen

País de origen:: China
País de origen del ensamblaje:: No disponible
País de difusión:: No disponible

El país está sujeto a cambios en el momento del envío.

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