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RF4L070BGTCR

Name: ROHM Semiconductor RF4L070BGTCR
Brand: ROHM Semiconductor
SKU: 755-RF4L070BGTCR
Price: 765.08 CRC
Availability: InStock

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Mouser N.º:

755-RF4L070BGTCR

Fabricante N.º:

RF4L070BGTCR

Fabricante:

ROHM Semiconductor

Descripción:

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) DFN2020 N-CH 60V 7A

Hoja de datos:

RF4L070BGTCR Hoja de datos

Modelo ECAD:

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₡-,--

Precio ext.:

₡-,--

Est. Tarifa:

Empaque:

Envase tipo carrete completo (pedir en múltiplos de 3000)

Cinta cortada

MouseReel™ (+₡4 100,00)

Precio (CRC)

Cantidad	Precio unitario	Precio ext.
Cinta cortada / MouseReel™ ^†
	₡765,08	₡765,08
	₡480,91	₡4 809,10
	₡318,52	₡31 852,00
	₡248,78	₡124 390,00
	₡226,40	₡226 400,00
Envase tipo carrete completo (pedir en múltiplos de 3000)
	₡222,76	₡668 280,00
	₡197,78	₡1 186 680,00
	₡191,01	₡1 719 090,00
	₡186,33	₡4 471 920,00

† ₡4 100,00 Se agregará y calculará la tarifa de MouseReel™ en su carrito de compras. Ningún artículo de MouseReel™ se puede cancelar ni devolver. ↩

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Atributo del producto	Valor de atributo	Seleccionar atributo
Fabricante:	ROHM Semiconductor
Categoría de producto:	Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET)
RoHS:
Tecnología:	Si
Estilo de montaje:	SMD/SMT
Paquete / Cubierta:	DFN-2020-8
Polaridad del transistor:	N-Channel
Número de canales:	1 Channel
Vds - Tensión disruptiva entre drenaje y fuente:	60 V
Id - Corriente de drenaje continua:	7 A
Rds On - Resistencia entre drenaje y fuente:	27 mOhms
Vgs - Tensión entre puerta y fuente:	- 20 V, 20 V
Vgs th - Tensión umbral entre puerta y fuente:	2.5 V
Qg - Carga de puerta:	7.6 nC
Temperatura de trabajo mínima:	- 55 C
Temperatura de trabajo máxima:	+ 150 C
Dp - Disipación de potencia :	2 W
Modo canal:	Enhancement
Empaquetado:	Reel
Empaquetado:	Cut Tape
Empaquetado:	MouseReel
Marca:	ROHM Semiconductor
Configuración:	Single
Tiempo de caída:	4.4 ns
Transconductancia hacia delante - Mín.:	2.5 S
Tipo de producto:	MOSFETs
Tiempo de subida:	5.7 ns
Cantidad de empaque de fábrica:	3000
Subcategoría:	Transistors
Tipo de transistor:	1 N-Channel
Tiempo de retardo de apagado típico:	21 ns
Tiempo típico de demora de encendido:	8.7 ns
Alias de las piezas n.º:	RF4L070BG

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Códigos de cumplimiento

CNHTS:: 8541290000
CAHTS:: 8541290000
USHTS:: 8541290065
TARIC:: 8541290000
MXHTS:: 8541299900
ECCN:: EAR99

Clasificaciones de origen

País de origen:: Tailandia
País de origen del ensamblaje:: Tailandia
País de difusión:: No disponible

El país está sujeto a cambios en el momento del envío.

Electronic Vehicle (EV) Solutions

ROHM Semiconductor Electronic Vehicle (EV) Solutions are designed to improve efficiency and performance in state-of-the-art EVs. ROHM offers products optimized for various solutions, with a focus on dedicated EV blocks, such as the main inverter, DC-DC converter, onboard charger, and electric compressor.

RF4L070BG N-Channel Power MOSFET

ROHM Semiconductor RF4L070BG N-Channel Power MOSFET is a 60.0V, 7.0A MOSFET featuring a low 27.0mΩ on-resistance, making it ideal for switching applications. The RF4L070BG has a 25.0ns (typical) reverse recovery time and a 22.0nC (typical) reverse recovery charge. Power dissipation for the device is 2.0W, and it features a wide -55℃ to +150℃ operating junction and storage temperature range.