30V Single N-Channel Power MOSFETs

Taiwan Semiconductor 30V Single N-Channel Power MOSFETs feature a low RDS(ON) (drain-source on-state resistance), which minimizes conductive losses. These devices also feature a low gate charge for fast switching. These N-Channel Power MOSFETs are ideal for battery power management, load switching, motor control, and DC-DC converter applications.

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Seleccionar Imagen N.° de pieza Fabricante: Descripción Hoja de datos Disponibilidad Precio: (CRC) Filtre los resultados en la tabla por precio unitario en función de su cantidad. Cantidad RoHS Modelo ECAD Tecnología Estilo de montaje Paquete / Cubierta Polaridad del transistor Número de canales Vds - Tensión disruptiva entre drenaje y fuente Id - Corriente de drenaje continua Rds On - Resistencia entre drenaje y fuente Vgs - Tensión entre puerta y fuente Vgs th - Tensión umbral entre puerta y fuente Qg - Carga de puerta Temperatura de trabajo mínima Temperatura de trabajo máxima Dp - Disipación de potencia Modo canal Empaquetado
Taiwan Semiconductor Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 30V, 194A, Single N-Channel Power MOSFET 956En existencias
Min.: 1
Mult.: 1
Carrete: 2 500

Si SMD/SMT PDFN-56-8 N-Channel 1 Channel 30 V 194 A 1.8 mOhms - 20 V, 20 V 2.5 V 120 nC - 55 C + 175 C 136 W Enhancement Reel, Cut Tape, MouseReel
Taiwan Semiconductor Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 30V, 90A, Single N-Channel Power MOSFET 2 489En existencias
Min.: 1
Mult.: 1
Carrete: 2 500

Si SMD/SMT PDFN-56-8 N-Channel 1 Channel 30 V 90 A 5.2 mOhms - 20 V, 20 V 2.5 V 41 nC - 55 C + 175 C 83 W Enhancement Reel, Cut Tape, MouseReel
Taiwan Semiconductor Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 30V, 59A, Single N-Channel Power MOSFET 2 439En existencias
Min.: 1
Mult.: 1
Carrete: 2 500

Si SMD/SMT PDFN-56-8 N-Channel 1 Channel 30 V 59 A 8 mOhms - 20 V, 20 V 2.5 V 20 nC - 55 C + 175 C 55.6 W Enhancement Reel, Cut Tape, MouseReel