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PSMN025-100HSX

Name: Nexperia PSMN025-100HSX
Brand: Nexperia
SKU: 771-PSMN025-100HSX
Price: 373.52 CRC
Availability: OutOfStock

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Mouser N.º:

771-PSMN025-100HSX

Fabricante N.º:

PSMN025-100HSX

Fabricante:

Nexperia

Descripción:

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) SOT1205 100V 29.5A

Hoja de datos:

PSMN025-100HSX Hoja de datos (PDF)

Modelo ECAD:

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Cantidad	Precio unitario	Precio ext.
Envase tipo carrete completo (pedir en múltiplos de 1500)
	₡373,52	₡560 280,00
	₡346,84	₡1 040 520,00
	₡332,92	₡1 498 140,00

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Atributo del producto	Valor de atributo	Seleccionar atributo
Fabricante:	Nexperia
Categoría de producto:	Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET)
RoHS:
REACH - SVHC:
Tecnología:	Si
Estilo de montaje:	SMD/SMT
Paquete / Cubierta:	LFPAK-56D-8
Polaridad del transistor:	N-Channel
Número de canales:	2 Channel
Vds - Tensión disruptiva entre drenaje y fuente:	100 V
Id - Corriente de drenaje continua:	29.5 A
Rds On - Resistencia entre drenaje y fuente:	24.5 mOhms
Vgs - Tensión entre puerta y fuente:	- 20 V, 20 V
Vgs th - Tensión umbral entre puerta y fuente:	4 V
Qg - Carga de puerta:	38.1 nC
Temperatura de trabajo mínima:	- 55 C
Temperatura de trabajo máxima:	+ 175 C
Dp - Disipación de potencia :	68 W
Modo canal:	Enhancement
Empaquetado:	Reel
Marca:	Nexperia
Tipo de producto:	MOSFETs
Cantidad de empaque de fábrica:	1500
Subcategoría:	Transistors
Alias de las piezas n.º:	934665466115

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Hoja de datos

PSMN025-100HSX Hoja de datos (PDF)

Application Notes

Power MOSFET Single-Shot and Repetitive Avalanche Ruggedness Rating - June 20, 2022 (PDF)

CNHTS:: 8541290000
CAHTS:: 8541290000
USHTS:: 8541290065
JPHTS:: 854129000
TARIC:: 8541290000
MXHTS:: 8541299900
ECCN:: EAR99

PSMN025 N-Channel MOSFET

Nexperia PSMN025 N-Channel MOSFET is a dual standard level N-channel MOSFET housed in an LFPAK56D (Dual Power-SO8) package. The Nexperia uses TrenchMOS technology. The device features a high peak drain current IDM and a copper clip with flexible Leads.