Model BID Insulated Gate Bipolar Transistors

Bourns Model BID Insulated Gate Bipolar Transistors (IGBTs) combine technology from a MOSFET gate and a bipolar transistor and are designed for high voltage/high current applications. The Model BID IGBTs use advanced Trench-Gate Field-Stop technology to provide greater control of the dynamic characteristics, resulting in a lower Collector-Emitter Saturation Voltage and fewer switching losses. The IGBTs feature a -55°C to +150°C operating temperature range and are available in TO-252, TO-247, and TO-247N packages. These thermally efficient components provide a lower thermal resistance making them suitable IGBT solutions for Switch-Mode Power Supplies (SMPS), Uninterruptible Power Sources (UPS), and Power Factor Correction (PFC) applications.

Resultados: 8
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 Fabricante:
Descripción Hoja de datos Disponibilidad Precio: (CRC) Filtre los resultados en la tabla por precio unitario en función de su cantidad.
Cantidad RoHS Modelo ECAD Tecnología
Paquete / Cubierta
Estilo de montaje
Configuración
Máx. voltaje VCEO colector-emisor
Voltaje de saturación colector-emisor
Máximo voltaje puerta-emisor
Colector de Corriente Continua a 25 C
Dp - Disipación de potencia
Temperatura de trabajo mínima
Temperatura de trabajo máxima
Serie
Empaquetado
Bourns IGBTs IGBT Discrete 600V, 5A in TO-252
Hoja de datos
24 137En existencias
Cinta cortada
₡1 160,64
₡744,27
₡502,25
₡400,24
₡366,93
Envase tipo carrete
₡339,86
MouseReel Disponible
Min.: 1
Mult.: 1
: 2 500
Si TO-252-3 SMD/SMT Single 600 V 1.5 V - 30 V, 30 V 10 A 82 W - 55 C + 150 C BID Reel, Cut Tape, MouseReel
Bourns IGBTs IGBT Discrete 650V, 75A, High speed switching in TO-247-3L
Hoja de datos
5 797En existencias
₡4 241,79
₡2 456,60
₡2 061,04
₡1 936,13
Min.: 1
Mult.: 1
Si TO-247-3 Through Hole Single 650 V 1.65 V 20 V 150 A 394 W - 40 C + 175 C BID Tube
Bourns IGBTs IGBT Discrete 650V, 40A, Medium speed switching in TO-247-3L
Hoja de datos
2 780En existencias
₡3 034,31
₡1 717,54
₡1 446,89
₡1 394,85
Min.: 1
Mult.: 1
Si TO-247-3 Through Hole Single 650 V 1.35 V 20 V 80 A 230 W - 40 C + 175 C BID Tube
Bourns IGBTs IGBT Discrete 650V, 40A, High speed switching in TO-247-3L
Hoja de datos
2 967En existencias
₡3 008,29
₡1 717,54
₡1 446,89
₡1 441,69
Min.: 1
Mult.: 1
Si TO-247-3 Through Hole Single 650 V 1.65 V 20 V 80 A 300 W - 40 C + 175 C BID Tube
Bourns IGBTs IGBT Discrete 650V, 75A, Medium speed switching in TO-247-3L
Hoja de datos
2 773En existencias
₡3 919,10
₡2 456,60
₡2 061,04
₡1 936,13
Min.: 1
Mult.: 1
Si TO-247-3 Through Hole Single 650 V 1.42 V 20 V 150 A 394 W - 40 C + 175 C BID Tube
Bourns IGBTs IGBT Discrete 600V, 30A in TO-247
Hoja de datos
14En existencias
3 600Se espera el 22/10/2026
₡2 862,56
₡1 712,33
₡1 410,46
₡1 202,28
₡1 155,43
Min.: 1
Mult.: 1
Si TO-247-3 Through Hole Single 600 V 1.65 V - 20 V, 20 V 60 A 230 W - 55 C + 150 C BID Tube
Bourns IGBTs IGBT Discrete 650V, 50A in TO-247
Hoja de datos
9En existencias
4 200Se espera el 5/10/2026
₡3 518,35
₡2 102,68
₡1 753,97
₡1 498,94
₡1 493,74
Min.: 1
Mult.: 1
Si TO-247-3 Through Hole Single 650 V 1.65 V - 20 V, 20 V 100 A 416 W - 55 C + 150 C BID Tube
Bourns IGBTs IGBT Discrete 600V, 30A in TO-247N
Hoja de datos
137En existencias
₡2 940,63
₡1 790,40
₡1 436,48
₡1 046,14
Min.: 1
Mult.: 1
Si TO-247N-3 Through Hole Single 600 V 1.65 V - 20 V, 20 V 60 A 230 W - 55 C + 150 C BID Tube