Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) MOSFT 40V 280A 2.3mOhm 160nC Qg
IRF2804PBF
Infineon Technologies
1:
₡1 285,55
3 497 En existencias
N.º de artículo de Mouser
942-IRF2804PBF
Infineon Technologies
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) MOSFT 40V 280A 2.3mOhm 160nC Qg
3 497 En existencias
1
₡1 285,55
10
₡671,40
100
₡598,54
500
₡481,95
1 000
Ver
1 000
₡442,92
2 000
₡413,77
Comprar
Min.: 1
Mult.: 1
Detalles
Si
Through Hole
TO-220-3
N-Channel
1 Channel
40 V
280 A
2 mOhms
- 20 V, 20 V
2 V
160 nC
- 55 C
+ 175 C
330 W
Enhancement
Tube
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 30V 8.3A 17.5mOhm 2.5V drive capable
IRLTS6342TRPBF
Infineon Technologies
1:
₡348,71
12 429 En existencias
36 000 En pedido
N.º de artículo de Mouser
942-IRLTS6342TRPBF
Infineon Technologies
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 30V 8.3A 17.5mOhm 2.5V drive capable
12 429 En existencias
36 000 En pedido
Ver fechas
Existencias:
12 429 Se puede enviar inmediatamente
En pedido:
15 000 Se espera el 20/8/2026
21 000 Se espera el 28/12/2026
Plazo de entrega de fábrica:
20 Semanas
1
₡348,71
10
₡157,18
100
₡137,92
500
₡104,61
3 000
₡79,63
9 000
Ver
9 000
₡69,22
24 000
₡61,94
Comprar
Min.: 1
Mult.: 1
Carrete :
3 000
Detalles
Si
SMD/SMT
TSOP-6
N-Channel
1 Channel
30 V
8.3 A
17.5 mOhms
- 12 V, 12 V
1.8 V
11 nC
- 55 C
+ 150 C
2 W
Enhancement
HEXFET
Reel, Cut Tape, MouseReel
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 20V DUAL N-CH LOGIC LEVEL HEXFET
IRLHS6276TRPBF
Infineon Technologies
1:
₡489,24
7 855 En existencias
NRND
N.º de artículo de Mouser
942-IRLHS6276TRPBF
NRND
Infineon Technologies
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 20V DUAL N-CH LOGIC LEVEL HEXFET
7 855 En existencias
1
₡489,24
10
₡224,32
100
₡198,30
500
₡151,98
4 000
₡116,58
8 000
Ver
2 000
₡144,17
8 000
₡100,97
Comprar
Min.: 1
Mult.: 1
Carrete :
4 000
Detalles
Si
SMD/SMT
PQFN 2x2 (DFN2020)
N-Channel
2 Channel
20 V
4.5 A
45 mOhms
- 12 V, 12 V
1.8 V
3.1 nC
- 55 C
+ 150 C
1.5 W
Enhancement
StrongIRFET
Reel, Cut Tape, MouseReel
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 30V 1 N-CH HEXFET 2.8nC
IRLHS6376TRPBF
Infineon Technologies
1:
₡473,62
32 000 En pedido
N.º de artículo de Mouser
942-IRLHS6376TRPBF
Infineon Technologies
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 30V 1 N-CH HEXFET 2.8nC
32 000 En pedido
Ver fechas
En pedido:
12 000 Se espera el 11/2/2027
20 000 Se espera el 25/3/2027
Plazo de entrega de fábrica:
51 Semanas
1
₡473,62
10
₡294,58
100
₡191,01
500
₡146,25
1 000
Ver
4 000
₡96,29
1 000
₡132,20
2 000
₡119,71
4 000
₡96,29
Comprar
Min.: 1
Mult.: 1
Carrete :
4 000
Detalles
Si
SMD/SMT
PQFN 2x2 (DFN2020)
N-Channel
2 Channel
30 V
3.6 A
63 mOhms
- 12 V, 12 V
1.8 V
2.8 nC
- 55 C
+ 150 C
1.5 W
Enhancement
StrongIRFET
Reel, Cut Tape, MouseReel