Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) MOSFT 40V 280A 2.3mOhm 160nC Qg
IRF2804PBF
Infineon Technologies
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942-IRF2804PBF
Infineon Technologies
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) MOSFT 40V 280A 2.3mOhm 160nC Qg
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Si
Through Hole
TO-220-3
N-Channel
1 Channel
40 V
280 A
2 mOhms
- 20 V, 20 V
2 V
160 nC
- 55 C
+ 175 C
330 W
Enhancement
Tube
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 30V 1 N-CH HEXFET 2.8nC
IRLHS6376TRPBF
Infineon Technologies
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Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 30V 1 N-CH HEXFET 2.8nC
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Si
SMD/SMT
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N-Channel
2 Channel
30 V
3.6 A
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+ 150 C
1.5 W
Enhancement
StrongIRFET
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Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 20V DUAL N-CH LOGIC LEVEL HEXFET
IRLHS6276TRPBF
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Si
SMD/SMT
PQFN 2x2 (DFN2020)
N-Channel
2 Channel
20 V
4.5 A
45 mOhms
- 12 V, 12 V
1.8 V
3.1 nC
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+ 150 C
1.5 W
Enhancement
StrongIRFET
Reel, Cut Tape, MouseReel
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 30V 8.3A 17.5mOhm 2.5V drive capable
IRLTS6342TRPBF
Infineon Technologies
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942-IRLTS6342TRPBF
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Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 30V 8.3A 17.5mOhm 2.5V drive capable
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Si
SMD/SMT
TSOP-6
N-Channel
1 Channel
30 V
8.3 A
17.5 mOhms
- 12 V, 12 V
1.8 V
11 nC
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2 W
Enhancement
HEXFET
Reel, Cut Tape, MouseReel