ADPA7006 GaAs pHEMT MMIC Power Amplifier

Analog Devices ADPA7006 GaAs pHEMT MMIC Power Amplifiers are pseudomorphic high electron mobility transistor (pHEMT), monolithic microwave integrated circuit (MMIC), distributed power amplifiers that operate from 18GHz to 44GHz. The amplifiers provide 23.5dB of small signal gain, 29dBm output power for 1dB compression, and a typical output third-order intercept of 38dBm. The ADPA7006 requires 800mA from a 5V supply on the supply voltage (VDD) and features inputs and outputs that are internally matched to 50Ω, facilitating integration in multichip modules (MCMs). All data is taken with the chip connected via two 0.025mm wire bonds that are less than 0.31mm long.

Resultados: 2
Seleccionar Imagen N.° de pieza Fabricante: Descripción Hoja de datos Disponibilidad Precio: (CRC) Filtre los resultados en la tabla por precio unitario en función de su cantidad. Cantidad RoHS Modelo ECAD Frecuencia de trabajo Voltaje de alimentación operativo Corriente de suministro operativa Ganancia NF - Figura de ruido Tipo Estilo de montaje Tecnología P1dB: punto de compresión OIP3: punto de intersección de tercer orden Temperatura de trabajo mínima Temperatura de trabajo máxima Empaquetado
Analog Devices Amplificador de RF 28 dBm P1dB, 20 dB gain
79En existencias
Min.: 1
Mult.: 1

18 GHz to 44 GHz 5 V 800 mA 23 dB 7 dB Power Amplifiers SMD/SMT GaAs 29 dBm 39 dBm - 40 C + 85 C Cut Tape
Analog Devices ADPA7006AEHZ-R7
Analog Devices Amplificador de RF 28 dBm P1dB, 20 dB gain
Plazo de entrega no en existencias 39 Semanas
Min.: 500
Mult.: 500
Carrete: 500

Si Reel