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SQS414CENW-T1_GE3

Name: Vishay SQS414CENW-T1_GE3
Brand: Vishay / Siliconix
SKU: 78-SQS414CENW-T1_GE3
Price: 586 CRC
Availability: InStock

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Mouser N.º:

78-SQS414CENW-T1_GE3

Fabricante N.º:

SQS414CENW-T1_GE3

Fabricante:

Vishay / Siliconix

Descripción:

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-CHANNEL 60-V (D-S) 175C MOSFET

Hoja de datos:

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Empaque:

Envase tipo carrete completo (pedir en múltiplos de 3000)

Cinta cortada

MouseReel™ (+₡4 100)

Precio (CRC)

Cantidad	Precio unitario	Precio ext.
Cinta cortada / MouseReel™ ^†
	₡586	₡586
	₡375	₡3 750
	₡247	₡24 700
	₡194	₡97 000
	₡176	₡176 000
Envase tipo carrete completo (pedir en múltiplos de 3000)
	₡152	₡456 000
	₡140	₡840 000
	₡126	₡1 134 000

† ₡4 100 Se agregará y calculará la tarifa de MouseReel™ en su carrito de compras. Ningún artículo de MouseReel™ se puede cancelar ni devolver. ↩

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Atributo del producto	Valor de atributo	Seleccionar atributo
Fabricante:	Vishay
Categoría de producto:	Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET)
RoHS:
Tecnología:	Si
Estilo de montaje:	SMD/SMT
Paquete / Cubierta:	PowerPAK 1212-8
Polaridad del transistor:	N-Channel
Número de canales:	1 Channel
Vds - Tensión disruptiva entre drenaje y fuente:	60 V
Id - Corriente de drenaje continua:	18 A
Rds On - Resistencia entre drenaje y fuente:	23 mOhms
Vgs - Tensión entre puerta y fuente:	- 20 V, 20 V
Vgs th - Tensión umbral entre puerta y fuente:	2.5 V
Qg - Carga de puerta:	8.9 nC
Temperatura de trabajo mínima:	- 55 C
Temperatura de trabajo máxima:	+ 175 C
Dp - Disipación de potencia :	33 W
Modo canal:	Enhancement
Nombre comercial:	TrenchFET
Empaquetado:	Reel
Empaquetado:	Cut Tape
Empaquetado:	MouseReel
Marca:	Vishay / Siliconix
Configuración:	Single
Tiempo de caída:	5 ns
Transconductancia hacia delante - Mín.:	9.6 S
Tipo de producto:	MOSFETs
Tiempo de subida:	4 ns
Serie:	SQS
Cantidad de empaque de fábrica:	3000
Subcategoría:	Transistors
Tipo de transistor:	1 N-Channel
Tiempo de retardo de apagado típico:	15 ns
Tiempo típico de demora de encendido:	8 ns

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Technical Resources

CNHTS:: 8541290000
USHTS:: 8541290065
TARIC:: 8541290000
ECCN:: EAR99

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Vishay POWERPAK® 1212 MOSFETs are ideal for switching applications and boast a die-on resistance of approximately 1mΩ and can handle up to 85A. The Vishay POWERPAK 1212 introduces a packaging technology to mitigate the risk of degrading high-performance dies. This package offers ultra-low thermal impedance in a compact design, making it ideal for space-constrained applications.

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Vishay / Siliconix SQS414CENW Automotive N-Ch 60V (D-S) 175°C MOSFETs offer TrenchFET® power MOSFET technology in a PowerPAK® 1212-8W single package. The AEC-Q101 qualified SQS414CENW provides a 60V drain-source voltage and 18A continuous drain current. The Vishay / Siliconix SQS414CENW Automotive N-Ch 60V (D-S) 175°C MOSFETs are designed for automotive applications.