Parece que JavaScript está deshabilitado en su navegador. Si no inicia sesión, algunas funciones en esta página no funcionarán.

¿Vé algún error?

DMN3008SFG-7

Name: Diodes Incorporated DMN3008SFG-7
Brand: Diodes Incorporated
SKU: 621-DMN3008SFG-7
Price: 593.33 CRC
Availability: InStock

Las imágenes son para referencia solamente
Ver especificaciones del producto

Mouser N.º:

621-DMN3008SFG-7

Fabricante N.º:

DMN3008SFG-7

Fabricante:

Diodes Incorporated

Descripción:

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 30V N-Ch Enh FET 4.6mOhm 10Vgs 17.6A

Hoja de datos:

DMN3008SFG-7 Hoja de datos (PDF)

Modelo ECAD:

Descargue Library Loader gratis para convertir este archivo para su herramienta ECAD. Conozca más sobre el modelo ECAD.

Más información

Conozca más sobre Diodes Incorporated DMN3008SFG-7

.hidden-for-nojs { display: none; } .pull-right-nojs { justify-content: flex-end; }

Atributo del producto	Valor de atributo	Seleccionar atributo
Fabricante:	Diodes Incorporated
Categoría de producto:	Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET)
RoHS:
Tecnología:	Si
Estilo de montaje:	SMD/SMT
Paquete / Cubierta:	PowerDI3333-8
Polaridad del transistor:	N-Channel
Número de canales:	1 Channel
Vds - Tensión disruptiva entre drenaje y fuente:	30 V
Id - Corriente de drenaje continua:	17.6 A
Rds On - Resistencia entre drenaje y fuente:	4.6 mOhms
Vgs - Tensión entre puerta y fuente:	- 20 V, 20 V
Vgs th - Tensión umbral entre puerta y fuente:	2.3 V
Qg - Carga de puerta:	41 nC
Temperatura de trabajo mínima:	- 55 C
Temperatura de trabajo máxima:	+ 150 C
Dp - Disipación de potencia :	2.1 W
Modo canal:	Enhancement
Nombre comercial:	PowerDI
Empaquetado:	Reel
Empaquetado:	Cut Tape
Empaquetado:	MouseReel
Marca:	Diodes Incorporated
Configuración:	Single
Tiempo de caída:	28.4 ns
Tipo de producto:	MOSFETs
Tiempo de subida:	14 ns
Serie:	DMN3008
Cantidad de empaque de fábrica:	2000
Subcategoría:	Transistors
Tipo de transistor:	1 N-Channel
Tiempo de retardo de apagado típico:	63.7 ns
Tiempo típico de demora de encendido:	5.7 ns
Peso de la unidad:	30 mg

Productos encontrados:

Para mostrar productos similares, seleccione al menos una casilla de verificación

Seleccione al menos una de las casillas de verificación anteriores para mostrar productos similares en esta categoría.

Atributos seleccionados: 0

Filtrar documento:

Hoja de datos

DMN3008SFG-7 Hoja de datos (PDF)

PCN

Environmental Compliance (PDF)

Códigos de cumplimiento

CNHTS:: 8541290000
CAHTS:: 8541290000
USHTS:: 8541290065
JPHTS:: 854129000
KRHTS:: 8541219000
TARIC:: 8541290000
MXHTS:: 8541299900
ECCN:: EAR99

Clasificaciones de origen

País de origen:: China
País de origen del ensamblaje:: No disponible
País de difusión:: No disponible

El país está sujeto a cambios en el momento del envío.

DMN3008 Enhancement Mode MOSFET

Diodes Incorporated DMN3008 30V N-Channel Enhancement Mode MOSFET is designed to minimize the on-state resistance (R_DS(ON)) while maintaining superior switching performance. This device is offered in a small form factor, thermally efficient POWERDI®3333-8 case, and supports higher density end products. Diodes DMN3008 is ideal for high-efficiency power management applications such as backlighting, power management functions, and DC-DC converters.

Power MOSFETs

Diodes Incorporated offers a broad range of Power MOSFETs, enabling designers to select a device optimized for their end application, thus enabling next generation consumer, computer and communication product designs. The Diodes portfolio is ideally suited to meeting the circuit requirements of DC-DC conversion, load switching, motor control, backlighting, battery protection, battery chargers, audio circuits, and automotive applications.

DMNxx MOSFETs

Diodes Inc. DMNxx MOSFETs are N-channel devices ideally suited for meeting the requirements of a variety of power management applications. DMNxx MOSFETs offer a variety of package options and a wide range of drain-source voltage values.

PRODUCTOS DESTACADOS

DIODES INCORPORATED

DMTH64M2LPDW Dual N-Channel E-Mode MOSFET

Integrates two MOSFETs in a single PowerDI^® 5mm x 6mm package with excellent thermal performance.

Obtenga más información

2N7002 N-Channel E-Mode Field Effect Transistors

Offers fast switching performance with low gate charge and 60V maximum drain-source voltage.

Obtenga más información

DMN1057UCA3 N-Channel Enhancement Mode MOSFET

Features superior switching performance, ideal for high-efficiency power-management applications.

Obtenga más información

DMT31M8LFVWQ 30V N-Ch Enhancement Mode MOSFETs

Provides low on-resistance in a thermally efficient small form factor package.

Obtenga más información

DMN2992UFA 20V N-Ch Enhancement Mode MOSFET

20V N-Ch MOSFET designed to minimize the R_DS(ON), available in an X2-DFN0806-3 package.

Obtenga más información

En existencias: 73

Existencias:: 73 Se puede enviar inmediatamente

Se ha producido un error inesperado. Vuelva a intentarlo más tarde.
Plazo de entrega de fábrica:: 40 Semanas Tiempo estimado de producción de fábrica para cantidades superiores a las que se muestran.

Se establece un tiempo de entrega prolongado para este producto.

Introducir cantidad:

Mínimo: 1 Múltiples: 1

Precio unitario:

₡-,--

Precio ext.:

₡-,--

Est. Tarifa:

Empaque:

Envase tipo carrete completo (pedir en múltiplos de 2000)

Cinta cortada

MouseReel™ (+₡4 100,00)

Precio (CRC)

Cantidad	Precio unitario	Precio ext.
Cinta cortada / MouseReel™ ^†
	₡593,33	₡593,33
	₡338,30	₡3 383,00
	₡231,61	₡23 161,00
	₡186,33	₡93 165,00
	₡168,63	₡168 630,00
Envase tipo carrete completo (pedir en múltiplos de 2000)
	₡140,01	₡280 020,00
	₡136,36	₡545 440,00
	₡120,75	₡1 207 500,00

† ₡4 100,00 Se agregará y calculará la tarifa de MouseReel™ en su carrito de compras. Ningún artículo de MouseReel™ se puede cancelar ni devolver. ↩

Embalaje alternativo

N.º de artículo del Fabricante:

DMN3008SFG-13

Embalaje:

Reel, Cut Tape, MouseReel

Disponibilidad:

En existencias

Precio:

₡598,54

Mín.:

DMN3008SFG-7

Fabricante: Diodes Incorporated

Descripción: Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 30V N-Ch Enh FET 4.6mOhm 10Vgs 17.6A

Especificaciones

Documentos (3)

Hoja de datos

PCN

Documentos ambientales

Cumplimiento de productos y comercio

Más información

DMN3008 Enhancement Mode MOSFET

Power MOSFETs

DMNxx MOSFETs

Los clientes también compraron

PRODUCTOS DESTACADOS DIODES INCORPORATED

En existencias: 73

Precio (CRC)

Embalaje alternativo

QuickView

Se ha producido un error inesperado.

Fabricante:

Diodes Incorporated

Descripción:

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 30V N-Ch Enh FET 4.6mOhm 10Vgs 17.6A

PRODUCTOS DESTACADOS

DIODES INCORPORATED