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LSIC1MO120G0040

Name: IXYS LSIC1MO120G0040
Brand: IXYS
SKU: 576-LSIC1MO120G0040
Price: 15927 CRC
Availability: InStock

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Mouser N.º:

576-LSIC1MO120G0040

Fabricante N.º:

LSIC1MO120G0040

Fabricante:

IXYS

Descripción:

MOSFETs de SiC TO247 1.2KV 50A N-CH SIC

Hoja de datos:

LSIC1MO120G0040 Hoja de datos (PDF)

Modelo ECAD:

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Cantidad	Precio unitario	Precio ext.
	₡15 927	₡15 927
	₡11 629	₡116 290
	₡11 623	₡1 162 300
	₡11 182	₡5 031 900
5 400	Presupuesto

.hidden-for-nojs { display: none; } .pull-right-nojs { justify-content: flex-end; }

Atributo del producto	Valor de atributo	Seleccionar atributo
Fabricante:	IXYS
Categoría de producto:	MOSFETs de SiC
RoHS:
Estilo de montaje:	Through Hole
Paquete / Cubierta:	TO-247-4
Polaridad del transistor:	N-Channel
Número de canales:	1 Channel
Vds - Tensión disruptiva entre drenaje y fuente:	1.2 kV
Id - Corriente de drenaje continua:	70 A
Rds On - Resistencia entre drenaje y fuente:	50 mOhms
Vgs - Tensión entre puerta y fuente:	- 5 V, + 20 V
Vgs th - Tensión umbral entre puerta y fuente:	4 V
Qg - Carga de puerta:	175 nC
Temperatura de trabajo mínima:	- 55 C
Temperatura de trabajo máxima:	+ 175 C
Dp - Disipación de potencia :	357 W
Modo canal:	Enhancement
Marca:	IXYS
Configuración:	Single
Tiempo de caída:	8 ns
Empaquetado:	Tube
Tipo de producto:	SiC MOSFETS
Tiempo de subida:	9 ns
Serie:	LSIC1MO120G0xxx
Cantidad de empaque de fábrica:	450
Subcategoría:	Transistors
Tecnología:	SiC
Tiempo de retardo de apagado típico:	22 ns
Tiempo típico de demora de encendido:	13 ns

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CNHTS:: 8541290000
USHTS:: 8541290065
ECCN:: EAR99

LSIC1MO120G0x N-Channel SiC MOSFETs

IXYS LSIC1MO120G0x N-Channel SiC MOSFETs offer a 1200V drain-source voltage rating, 25mΩ to 160mΩ resistance range, and 14A to 70A currents. These MOSFETs are optimized for high-frequency, high-efficiency applications, and feature ultra-low on-resistance, low gate resistance, and normally-off operations at all temperatures. The IXYS LSIC1MO120G0x N-Channel SiC MOSFETs are ideal for solar inverters, switch-mode power supplies, motor drives, battery chargers, and more.