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RQ3G110ATTB

Name: ROHM Semiconductor RQ3G110ATTB
Brand: ROHM Semiconductor
SKU: 755-RQ3G110ATTB
Price: 1299 CRC
Availability: InStock

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Mouser N.º:

755-RQ3G110ATTB

Fabricante N.º:

RQ3G110ATTB

Fabricante:

ROHM Semiconductor

Descripción:

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) HSMT8 P-CH 40V 35A

Hoja de datos:

RQ3G110ATTB Hoja de datos

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₡-

Precio ext.:

₡-

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Empaque:

Envase tipo carrete completo (pedir en múltiplos de 3000)

Cinta cortada

MouseReel™ (+₡4 100)

Precio (CRC)

Cantidad	Precio unitario	Precio ext.
Cinta cortada / MouseReel™ ^†
	₡1 299	₡1 299
	₡748	₡7 480
	₡556	₡55 600
	₡470	₡235 000
	₡434	₡434 000
Envase tipo carrete completo (pedir en múltiplos de 3000)
	₡385	₡1 155 000
	₡374	₡2 244 000
24 000	Presupuesto

† ₡4 100 Se agregará y calculará la tarifa de MouseReel™ en su carrito de compras. Ningún artículo de MouseReel™ se puede cancelar ni devolver. ↩

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Atributo del producto	Valor de atributo	Seleccionar atributo
Fabricante:	ROHM Semiconductor
Categoría de producto:	Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET)
RoHS:
Tecnología:	Si
Estilo de montaje:	SMD/SMT
Paquete / Cubierta:	HSMT-8
Polaridad del transistor:	P-Channel
Número de canales:	1 Channel
Vds - Tensión disruptiva entre drenaje y fuente:	40 V
Id - Corriente de drenaje continua:	35 A
Rds On - Resistencia entre drenaje y fuente:	12.4 mOhms
Vgs - Tensión entre puerta y fuente:	- 20 V, 20 V
Vgs th - Tensión umbral entre puerta y fuente:	2.5 V
Qg - Carga de puerta:	46 nC
Temperatura de trabajo mínima:	- 55 C
Temperatura de trabajo máxima:	+ 150 C
Dp - Disipación de potencia :	20 W
Modo canal:	Enhancement
Empaquetado:	Reel
Empaquetado:	Cut Tape
Empaquetado:	MouseReel
Marca:	ROHM Semiconductor
Configuración:	Single
Tiempo de caída:	75 ns
Transconductancia hacia delante - Mín.:	11 S
Tipo de producto:	MOSFETs
Tiempo de subida:	41 ns
Cantidad de empaque de fábrica:	3000
Subcategoría:	Transistors
Tipo de transistor:	Power MOSFET
Tiempo de retardo de apagado típico:	130 ns
Tiempo típico de demora de encendido:	14 ns
Alias de las piezas n.º:	RQ3G110AT

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CNHTS:: 8541290000
USHTS:: 8541290065
TARIC:: 8541290000
ECCN:: EAR99

Electronic Vehicle (EV) Solutions

ROHM Semiconductor Electronic Vehicle (EV) Solutions are designed to improve efficiency and performance in state-of-the-art EVs. ROHM offers products optimized for various solutions, with a focus on dedicated EV blocks, such as the main inverter, DC-DC converter, onboard charger, and electric compressor.

RQ3G110AT P-Channel -40V -35A Power MOSFET

ROHM Semiconductor RQ3G110AT P-Channel -40V -35A Power MOSFET is a low on-resistance device housed in a high-power small mold package (HSMT8). The RQ3G110AT features Pb-free plating and is RoHS compliant. The MOSFETs are also halogen-free.