Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET)

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Automotive Power MOSFETs

onsemi Power MOSFETs feature low R_DS(on) to minimize conduction losses and low Q_g/capacitance to minimize driver losses. These power MOSFETs lower switching losses/Electro-Magnetic Interference (EMI). onsemi Automotive Power MOSFETs come in a TO-Leadless (TOLL) package for efficient designs with high thermal performance. These MOSFETs are AEC-Q101 qualified and PPAP capable for automotive applications. These devices are suitable for power tools, battery-operated vacuums, unmanned aerial vehicles (UAVs)/drones, material handling, battery management systems (BMS)/storage, and home automation.

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Resultados: 10

Filtros aplicados:

Estilo de montaje

Paquete / Cubierta

Número de canales

Vds - Tensión disruptiva entre drenaje y fuente

Id - Corriente de drenaje continua

Rds On - Resistencia entre drenaje y fuente

Vgs th - Tensión umbral entre puerta y fuente

Qg - Carga de puerta

Temperatura de trabajo mínima

Temperatura de trabajo máxima

Dp - Disipación de potencia

Calificación

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En conformidad con la RoHS

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N.° de pieza

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) T6 40V LL

NVMFS5C420NLT1G
onsemi
1: ₡2 253,62
8 807En existencias

N.º de artículo del Fabricante
NVMFS5C420NLT1G

N.º de artículo de Mouser
863-NVMFS5C420NLT1G

onsemi

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) T6 40V LL

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Hoja de datos

8 807En existencias

Cinta cortada

₡2 253,62

₡1 436,48

₡1 098,18

₡936,84

₡884,79

Envase tipo carrete

₡884,79

MouseReel Disponible

Min.: 1
Mult.: 1

: 1 500

SMD/SMT

SO-8FL-4

N-Channel

1 Channel

40 V

277 A

1 mOhms

- 20 V, 20 V

2.2 V

100 nC

- 55 C

+ 175 C

146 W

Enhancement

Reel, Cut Tape, MouseReel

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) T6 40V LL

NVMFS5C420NLWFT1G
onsemi
1: ₡2 440,98
10 243En existencias

N.º de artículo del Fabricante
NVMFS5C420NLWFT1G

N.º de artículo de Mouser
863-VMFS5C420NLWFT1G

onsemi

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) T6 40V LL

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Hoja de datos

10 243En existencias

Cinta cortada

₡2 440,98

₡1 524,96

₡1 165,84

₡1 004,50

₡947,25

Envase tipo carrete

₡947,25

Min.: 1
Mult.: 1

: 1 500

SMD/SMT

N-Channel

1 Channel

40 V

277 A

1 mOhms

- 20 V, 20 V

2.2 V

100 nC

- 55 C

+ 175 C

146 W

Enhancement

Reel, Cut Tape

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) T6 40V SG

NVMFS5C420NT1G
onsemi
1: ₡2 373,32
1 447En existencias

N.º de artículo del Fabricante
NVMFS5C420NT1G

N.º de artículo de Mouser
863-NVMFS5C420NT1G

onsemi

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) T6 40V SG

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Hoja de datos

1 447En existencias

Cinta cortada

₡2 373,32

₡1 405,26

₡1 113,80

₡973,27

₡884,79

Envase tipo carrete

₡884,79

Min.: 1
Mult.: 1

: 1 500

SMD/SMT

SO-8FL-4

N-Channel

1 Channel

40 V

268 A

1.1 mOhms

- 20 V, 20 V

4 V

82 nC

- 55 C

+ 175 C

150 W

Enhancement

Reel, Cut Tape

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) Automotive Power Module, H-Bridge in APM16 Series for LLC and Phaseshifted DC-DC

NXV65HR82DZ1
onsemi
1: ₡15 150,75
67En existencias

N.º de artículo del Fabricante
NXV65HR82DZ1

N.º de artículo de Mouser
863-NXV65HR82DZ1

onsemi

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) Automotive Power Module, H-Bridge in APM16 Series for LLC and Phaseshifted DC-DC

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Hoja de datos

67En existencias

₡15 150,75

₡13 719,47

Min.: 1
Mult.: 1

Through Hole

APMCA-16

N-Channel

4 Channel

650 V

26 A

82 mOhms

- 20 V, 20 V

5 V

79.7 nC

- 40 C

+ 125 C

126 W

Enhancement

Tube

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) Automotive Power Module, H-Bridge in APM16 Series for LLC and Phaseshifted DC-DC

NXV65HR82DZ2
onsemi
1: ₡14 604,26
144En existencias

N.º de artículo del Fabricante
NXV65HR82DZ2

N.º de artículo de Mouser
863-NXV65HR82DZ2

onsemi

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) Automotive Power Module, H-Bridge in APM16 Series for LLC and Phaseshifted DC-DC

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Hoja de datos

144En existencias

₡14 604,26

₡13 126,14

Min.: 1
Mult.: 1

Through Hole

APMCA-16

N-Channel

4 Channel

650 V

26 A

82 mOhms

- 20 V, 20 V

5 V

79.7 nC

- 40 C

+ 125 C

126 W

Enhancement

Tube

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) T6 40V SG SINGLE NCH TOLL 0.5 MOHMS MAX

NVBLS0D5N04CTXG
onsemi
1: ₡5 319,16
864En existencias

N.º de artículo del Fabricante
NVBLS0D5N04CTXG

N.º de artículo de Mouser
863-NVBLS0D5N04CTXG

onsemi

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) T6 40V SG SINGLE NCH TOLL 0.5 MOHMS MAX

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Hoja de datos

864En existencias

Cinta cortada

₡5 319,16

₡3 544,37

₡2 826,13

₡2 675,19

Envase tipo carrete

₡2 675,19

MouseReel Disponible

Min.: 1
Mult.: 1

: 2 000

SMD/SMT

TO-LL8-8

N-Channel

1 Channel

40 V

300 A

570 uOhms

- 20 V, 20 V

4 V

185 nC

- 55 C

+ 175 C

198.4 W

Enhancement

Reel, Cut Tape, MouseReel

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) Automotive Power Module, H-Bridge in APM16 Series for LLC and Phaseshifted DC-DC

NXV65HR82DS2
onsemi
1: ₡18 247,52
132En existencias

N.º de artículo del Fabricante
NXV65HR82DS2

N.º de artículo de Mouser
863-NXV65HR82DS2

onsemi

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) Automotive Power Module, H-Bridge in APM16 Series for LLC and Phaseshifted DC-DC

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Hoja de datos

132En existencias

₡18 247,52

₡13 219,82

₡13 126,14

Min.: 1
Mult.: 1

Through Hole

APMCA-16

N-Channel

4 Channel

650 V

26 A

82 mOhms

- 20 V, 20 V

5 V

79.7 nC

- 40 C

+ 125 C

126 W

Enhancement

Tube

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) T6 40V SG

NVMFS5C420NWFT1G
onsemi
1: ₡2 493,03
749En existencias

N.º de artículo del Fabricante
NVMFS5C420NWFT1G

N.º de artículo de Mouser
863-NVMFS5C420NWFT1G

onsemi

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) T6 40V SG

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749En existencias

Cinta cortada

₡2 493,03

₡1 644,67

₡1 165,84

₡1 004,50

₡947,25

Envase tipo carrete

₡947,25

Min.: 1
Mult.: 1

: 1 500

SMD/SMT

SO-8FL-4

N-Channel

1 Channel

40 V

268 A

1.1 mOhms

- 20 V, 20 V

4 V

82 nC

- 55 C

+ 175 C

150 W

Enhancement

Reel, Cut Tape

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) PTNG 150V IN CEBU TOLL FOR AUTOMOTIVE

NVBLS4D0N15MC
onsemi
1: ₡6 703,59
2 000Se espera el 11/9/2026

N.º de artículo del Fabricante
NVBLS4D0N15MC

N.º de artículo de Mouser
863-NVBLS4D0N15MC

onsemi

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) PTNG 150V IN CEBU TOLL FOR AUTOMOTIVE

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Hoja de datos

2 000Se espera el 11/9/2026

Cinta cortada

₡6 703,59

₡4 996,47

Envase tipo carrete

₡4 996,47

Min.: 1
Mult.: 1
Máx.: 80

: 2 000

SMD/SMT

TO-LL8-8

N-Channel

1 Channel

150 V

187 A

4.4 mOhms

- 20 V, 20 V

4.5 V

90.4 nC

- 55 C

+ 175 C

316 W

Enhancement

AEC-Q101

Reel, Cut Tape

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) Automotive Power Module, H-Bridge in APM16 Series for LLC and Phaseshifted DC-DC

NXV65HR82DS1
onsemi
1: ₡21 099,67
288Existencias en fábrica disponibles

N.º de artículo del Fabricante
NXV65HR82DS1

N.º de artículo de Mouser
863-NXV65HR82DS1

onsemi

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) Automotive Power Module, H-Bridge in APM16 Series for LLC and Phaseshifted DC-DC

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288Existencias en fábrica disponibles

Más información disponible

₡21 099,67

₡17 217,00

₡15 213,20

Min.: 1
Mult.: 1

Through Hole

APMCA-16

N-Channel

4 Channel

650 V

26 A

82 mOhms

- 20 V, 20 V

5 V

79.7 nC

- 40 C

+ 125 C

126 W

Enhancement

Tube

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