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IRF100B201

Name: Infineon IRF100B201
Brand: Infineon Technologies
SKU: 942-IRF100B201
Price: 1629.8 CRC
Availability: InStock

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Mouser N.º:

942-IRF100B201

Fabricante N.º:

IRF100B201

Fabricante:

Infineon Technologies

Descripción:

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) MOSFET, 100V, 192A 4.2 mOhm, 170 nC Qg

Hoja de datos:

IRF100B201 Hoja de datos (PDF)

Modelo ECAD:

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Cantidad	Precio unitario	Precio ext.
	₡1 629,80	₡1 629,80
	₡812,00	₡8 120,00
	₡730,80	₡73 080,00
	₡591,60	₡295 800,00
	₡578,26	₡578 260,00

.hidden-for-nojs { display: none; } .pull-right-nojs { justify-content: flex-end; }

Atributo del producto	Valor de atributo	Seleccionar atributo
Fabricante:	Infineon
Categoría de producto:	Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET)
RoHS:
REACH - SVHC:
Tecnología:	Si
Estilo de montaje:	Through Hole
Paquete / Cubierta:	TO-220-3
Polaridad del transistor:	N-Channel
Número de canales:	1 Channel
Vds - Tensión disruptiva entre drenaje y fuente:	100 V
Id - Corriente de drenaje continua:	192 A
Rds On - Resistencia entre drenaje y fuente:	4.2 mOhms
Vgs - Tensión entre puerta y fuente:	- 20 V, 20 V
Vgs th - Tensión umbral entre puerta y fuente:	2 V
Qg - Carga de puerta:	170 nC
Temperatura de trabajo mínima:	- 55 C
Temperatura de trabajo máxima:	+ 175 C
Dp - Disipación de potencia :	441 W
Modo canal:	Enhancement
Nombre comercial:	StrongIRFET
Empaquetado:	Tube
Marca:	Infineon Technologies
Configuración:	Single
País de ensamblaje:	Not Available
País de difusión:	Not Available
País de origen:	MY
Tiempo de caída:	100 ns
Transconductancia hacia delante - Mín.:	278 S
Tipo de producto:	MOSFETs
Tiempo de subida:	97 ns
Cantidad de empaque de fábrica:	1000
Subcategoría:	Transistors
Tiempo de retardo de apagado típico:	110 ns
Tiempo típico de demora de encendido:	17 ns
Peso de la unidad:	2 g

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SPICE Models

Spice Model - IRF100B201

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CNHTS:: 8541290000
CAHTS:: 8541290000
USHTS:: 8541290065
JPHTS:: 8541290100
KRHTS:: 8541299000
TARIC:: 8541290000
MXHTS:: 85412999
ECCN:: EAR99

IRF100x201 HEXFET™ Power MOSFETs

Infineon IRF100x201 HEXFET™ Power MOSFETs are 100V, single N-channel MOSFETs with enhanced body diode dV/dt and dl/dt capability. These MOSFETs provide improved gate, avalanche, and dynamic dV/dt ruggedness, fully characterized capacitance, and avalanche Safe Operating Area (SOA). The IRF100x201 MOSFETs come in TO-220 and D²-Pak packages and are RoHS compliant, lead-free, and halogen-free. Applications include brushed and BLDC motor drive applications, battery powered circuits, half-bridge and full-bridge topologies, power supplies, and power switches.