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CGHV50200F

Name: MACOM CGHV50200F
Brand: MACOM
SKU: 941-CGHV50200F
Price: 948371.8 CRC
Availability: OutOfStock

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Mouser N.º:

941-CGHV50200F

Fabricante N.º:

CGHV50200F

Fabricante:

MACOM

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Cantidad	Precio unitario	Precio ext.
	₡948 371,80	₡9 483 718,00

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Atributo del producto	Valor de atributo	Seleccionar atributo
Fabricante:	MACOM
Categoría de producto:	GaN FETs
Restricciones de envío:	Este producto puede necesitar documentación adicional para ser exportado desde los Estados Unidos.
RoHS:
Estilo de montaje:	Screw Mount
Paquete / Cubierta:	4402015
Polaridad del transistor:	N-Channel
Vds - Tensión disruptiva entre drenaje y fuente:	150 V
Id - Corriente de drenaje continua:	17 A
Vgs th - Tensión umbral entre puerta y fuente:	- 3.4 V
Temperatura de trabajo mínima:	- 40 C
Temperatura de trabajo máxima:	+ 150 C
Marca:	MACOM
País de ensamblaje:	Not Available
País de difusión:	Not Available
País de origen:	US
Kit de desarrollo:	CGHV50200F-AMP
Ganancia:	11.5 dB
Frecuencia de trabajo máxima:	5 GHz
Frecuencia de trabajo mínima:	4.4 GHz
Potencia de salida:	180 W
Empaquetado:	Tray
Tipo de producto:	GaN FETs
Cantidad de empaque de fábrica:	10
Subcategoría:	Transistors
Tecnología:	GaN
Tipo de transistor:	GaN HEMT
Vds - Tensión disruptiva entre puerta y fuente:	- 10 V to 2 V