SiC641CD-T1-GE3

Vishay Semiconductors
78-SIC641CD-T1-GE3
SiC641CD-T1-GE3

Fabricante:

Descripción:
Gestión de energía especializada - circuitos integrados de gestión de potencia (PMIC) 55A DrMOS 5V PWM PowerPAK (MLP31-55)

Hoja de datos:
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Precio (CRC)

Cantidad Precio unitario
Precio ext.
Cinta cortada / MouseReel™ †
₡1 653 ₡1 653
₡1 235 ₡12 350
₡1 131 ₡28 275
₡1 015 ₡101 500
₡963 ₡240 750
₡928 ₡464 000
₡905 ₡905 000
Envase tipo carrete completo (pedir en múltiplos de 3000)
₡795 ₡2 385 000
₡789 ₡4 734 000
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Atributo del producto Valor de atributo Seleccionar atributo
Vishay
Categoría de producto: Gestión de energía especializada - circuitos integrados de gestión de potencia (PMIC)
RoHS:  
REACH - SVHC:
SIC
General Purpose
SMD/SMT
MLP55-31
16 V
2.5 V
- 40 C
+ 125 C
55 A
Reel
Cut Tape
MouseReel
Aplicación: Computers
Marca: Vishay Semiconductors
Kit de desarrollo: SiC641DB
Rango de voltaje de entrada: 2.5 V to 16 V
Corriente de suministro operativa: 120 uA
Voltaje de alimentación operativo: 5 V
Producto: Power Management Specialized - PMICs
Tipo de producto: Power Management Specialized - PMIC
Cantidad de empaque de fábrica: 3000
Subcategoría: PMIC - Power Management ICs
Nombre comercial: DrMOS
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Atributos seleccionados: 0

Hoja de datos

PCN

USHTS:
8542390090
TARIC:
8542399000
ECCN:
EAR99

SiC641 55A VRPower® Integrated Power Stage

Vishay Semiconductors SiC641 55A VRPower® Integrated Power Stage is designed for synchronous buck applications, delivering high current, efficiency, and power density with minimal shutdown current. The Vishay Semiconductors SiC641 is housed in a proprietary 5mm x 5mm MLP package. The SiC641 supports voltage regulators with up to 55A continuous current per phase. Featuring Vishay’s advanced TrenchFET® technology, these devices minimize switching and conduction losses for industry-leading performance.

Etapa de potencia integrada serie DrMOS SiC6

Vishay Semiconductors DrMOS SiC6xx Integrated Power Stage are optimized for synchronous buck applications to offer high current, high efficiency, and high power density performance. Packaged in Vishay's proprietary 5mm x 5mm MLP package, SiC6xx enables the voltage regulator designs to deliver up to 60A continuous current per phase. The internal power MOSFETs utilizes Vishay's state-of-the-art Gen IV TrenchFET technology that delivers industry benchmark performance to significantly reduce switching and conduction losses. 

The SiC6xx incorporates an advanced MOSFET gate driver IC that features high current driving capability, adaptive dead-time control, an integrated bootstrap Schottky diode, a thermal warning (THWn) that alerts the system of excessive junction temperature, and zero current detect to improve light load efficiency. The drivers are also compatible with a wide range of PWM controllers and supports tri-state PWM, 3.3V (SiC620A) / 5V (SiC620) PWM logic.
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