Parece que JavaScript está deshabilitado en su navegador. Si no inicia sesión, algunas funciones en esta página no funcionarán.

Volver a resultados de la búsqueda

¿Vé algún error?

TJ30S06M3L(T6L1,NQ

Name: Toshiba TJ30S06M3L(T6L1,NQ
Brand: Toshiba
SKU: 757-TJ30S06M3LT6L1NQ
Price: 1317 CRC
Availability: InStock

Las imágenes son para referencia solamente
Ver especificaciones del producto

Mouser N.º:

757-TJ30S06M3LT6L1NQ

Fabricante N.º:

TJ30S06M3L(T6L1,NQ

Fabricante:

Toshiba

Descripción:

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) P-Ch MOS -30A -60V 68W 3950pF 0.0218

Hoja de datos:

TJ30S06M3L(T6L1,NQ Hoja de datos (PDF)

Modelo ECAD:

Descargue Library Loader gratis para convertir este archivo para su herramienta ECAD. Conozca más sobre el modelo ECAD.

Más información

Conozca más sobre Toshiba TJ30S06M3L(T6L1,NQ

En existencias: 5 662

Existencias:: 5 662 Se puede enviar inmediatamente

Se ha producido un error inesperado. Vuelva a intentarlo más tarde.
Plazo de entrega de fábrica:: 20 Semanas Tiempo estimado de producción de fábrica para cantidades superiores a las que se muestran.

Introducir cantidad:

Mínimo: 1 Múltiples: 1

Precio unitario:

₡-

Precio ext.:

₡-

Est. Tarifa:

Empaque:

Envase tipo carrete completo (pedir en múltiplos de 2000)

Cinta cortada

MouseReel™ (+₡4 100)

Precio (CRC)

Cantidad	Precio unitario	Precio ext.
Cinta cortada / MouseReel™ ^†
	₡1 317	₡1 317
	₡847	₡8 470
	₡575	₡57 500
	₡459	₡229 500
	₡432	₡432 000
Envase tipo carrete completo (pedir en múltiplos de 2000)
	₡379	₡758 000
	₡377	₡1 508 000
	₡363	₡3 630 000

† ₡4 100 Se agregará y calculará la tarifa de MouseReel™ en su carrito de compras. Ningún artículo de MouseReel™ se puede cancelar ni devolver. ↩

.hidden-for-nojs { display: none; } .pull-right-nojs { justify-content: flex-end; }

Atributo del producto	Valor de atributo	Seleccionar atributo
Fabricante:	Toshiba
Categoría de producto:	Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET)
RoHS:
Tecnología:	Si
Estilo de montaje:	SMD/SMT
Paquete / Cubierta:	DPAK-3 (TO-252-3)
Polaridad del transistor:	P-Channel
Número de canales:	1 Channel
Vds - Tensión disruptiva entre drenaje y fuente:	60 V
Id - Corriente de drenaje continua:	30 A
Rds On - Resistencia entre drenaje y fuente:	21.8 mOhms
Vgs - Tensión entre puerta y fuente:	- 20 V, 10 V
Vgs th - Tensión umbral entre puerta y fuente:	3 V
Qg - Carga de puerta:	80 nC
Temperatura de trabajo mínima:	- 55 C
Temperatura de trabajo máxima:	+ 175 C
Dp - Disipación de potencia :	68 W
Modo canal:	Enhancement
Calificación:	AEC-Q100
Nombre comercial:	U-MOSVI
Empaquetado:	Reel
Empaquetado:	Cut Tape
Empaquetado:	MouseReel
Marca:	Toshiba
Configuración:	Single
Tipo de producto:	MOSFETs
Serie:	TJ30S06M3L
Cantidad de empaque de fábrica:	2000
Subcategoría:	Transistors
Tipo de transistor:	1 P-Channel
Peso de la unidad:	330 mg

Productos encontrados:

Para mostrar productos similares, seleccione al menos una casilla de verificación

Seleccione al menos una de las casillas de verificación anteriores para mostrar productos similares en esta categoría.

Atributos seleccionados: 0

                        
Toshiba Electronic Devices & Storage Corporation Automotive products 
may be used as engineering samples, however; they are not intended for 
volume automotive production or reliability testing without prior 
approval by Toshiba Semiconductor and Storage. 
Please contact a Mouser Technical Sales Representative for 
further assistance.
5-0320-2

Filtrar documento:

Hoja de datos

TJ30S06M3L(T6L1,NQ Hoja de datos (PDF)

Application Notes

Models

Simulation Model

PCN

Changes in Packing Material and Packing Method (PDF)

Product Catalogs

Test/Quality Data

Reliability Tests Report

Esta funcionalidad requiere que JavaScript esté habilitado.

CNHTS:: 8541290000
CAHTS:: 8541290000
USHTS:: 8541290065
JPHTS:: 8541290100
TARIC:: 8542399000
MXHTS:: 8542399901
ECCN:: EAR99

U-MOSVI Small Signal MOSFETs

Toshiba U-MOSVI Small Signal MOSFETs offer a variety of gate drive voltages required for many different types of mobile devices. They are available in single, dual, N-channel, P-channel and various voltage versions, providing a wide variety of options for designers. Each MOSFET addresses the need to support high-current charging with low voltage and low R_DS(on) requirements. The compact packages and and low voltage operation make Toshiba U-MOSVI Small Signal MOSFETs an ideal solution for high-density packaging requirements in smart phones and game consoles.

Soluciones automotrices

Las soluciones automotrices de Toshiba ofrecen varios dispositivos semiconductores automotrices que están diseñados para mejorar la seguridad de la conducción. Esto incluye sistemas avanzados de conducción asistida (ADAS) que utilizan un procesador de reconocimiento de imágenes. Toshiba ofrece tecnologías de semiconductores de vanguardia desde una perspectiva futura para ofrecer soluciones integrales de conducción asistida. Estas soluciones incluyen la autoconducción que emula los ojos humanos y otros sentidos humanos complejos.