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NDSH20120C-F155

Name: onsemi NDSH20120C-F155
Brand: onsemi
SKU: 863-NDSH20120C-F155
Price: 5417.2 CRC
Availability: InStock

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Mouser N.º:

863-NDSH20120C-F155

Fabricante N.º:

NDSH20120C-F155

Fabricante:

onsemi

Descripción:

Diodos Schottky de SiC SIC DIODE GEN2.0 1200V TO

Hoja de datos:

NDSH20120C-F155 Hoja de datos

Modelo ECAD:

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	₡5 417,20	₡5 417,20
	₡3 717,80	₡37 178,00
	₡2 795,60	₡279 560,00

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Atributo del producto	Valor de atributo	Seleccionar atributo
Fabricante:	onsemi
Categoría de producto:	Diodos Schottky de SiC
RoHS:
REACH - SVHC:
Estilo de montaje:	Through Hole
Paquete / Cubierta:	TO-247-2
Configuración:	Single
If - Corriente directa:	26 A
Vrrm - Tensión inversa repetitiva:	1.2 kV
Vf - Tensión directa:	1.75 V
Ifsm - Sobrecorriente en sentido directo:	119 A
Ir - Corriente inversa:	2.06 uA
Temperatura de trabajo mínima:	- 55 C
Temperatura de trabajo máxima:	+ 175 C
Serie:	NDSH20120C-F155
Empaquetado:	Tube
Marca:	onsemi
Dp - Disipación de potencia :	214 W
Tipo de producto:	SiC Schottky Diodes
Cantidad de empaque de fábrica:	450
Subcategoría:	Diodes & Rectifiers
Nombre comercial:	EliteSiC
Vr - Tensión inversa:	1.2 kV

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Hoja de datos

NDSH20120C-F155 Hoja de datos

CNHTS:: 8541100000
CAHTS:: 8541100090
USHTS:: 8541100080
TARIC:: 8541100000
ECCN:: EAR99

D3 EliteSiC Diodes

onsemi D3 EliteSiC Diodes are a solution for applications requiring high-power PFC and output rectification. The onsemi D3 has a maximum voltage rating of 1200V. These diodes come in two package options, TO-247-2LD and TO-247-3LD, providing flexibility for various designs. The D3 EliteSiC Diodes are optimized for high-temperature operation with low series-resistance temperature dependency, ensuring consistent and reliable performance even under extreme conditions.

NDSH20120C-F155 Silicon Carbide Schottky Diode

onsemi NDSH20120C-F155 Silicon Carbide (SiC) Schottky Diode provides superior switching performance and higher reliability compared to Silicon. NDSH20120C-F155 features no reverse recovery current, temperature-independent switching characteristics, and excellent thermal performance. System benefits include high efficiency, fast operating frequency, increased power density, reduced EMI, and reduced system size and cost. This EliteSiC diode offers a positive temperature coefficient and ease of paralleling.