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 Fabricante:
Descripción Hoja de datos Disponibilidad Precio: (CRC) Filtre los resultados en la tabla por precio unitario en función de su cantidad.
Cantidad RoHS Modelo ECAD Tecnología
Estilo de montaje
Paquete / Cubierta
Polaridad del transistor
Número de canales
Vds - Tensión disruptiva entre drenaje y fuente
Id - Corriente de drenaje continua
Rds On - Resistencia entre drenaje y fuente
Vgs - Tensión entre puerta y fuente
Vgs th - Tensión umbral entre puerta y fuente
Qg - Carga de puerta
Temperatura de trabajo mínima
Temperatura de trabajo máxima
Dp - Disipación de potencia
Modo canal
Calificación
Nombre comercial
Empaquetado
Vishay / Siliconix Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) DUAL N-CHANNEL 40-V (D-S) 175C MOSFE
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6 241En existencias
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: 3 000

Si SMD/SMT SOIC-8 N-Channel 1 Channel 40 V 30 A 7.3 mOhms - 20 V, 20 V 2.5 V 36 nC - 55 C + 175 C 27 W Enhancement TrenchFET Reel, Cut Tape, MouseReel
Vishay / Siliconix Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N Ch 60Vds 20Vgs AEC-Q101 Qualified
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3 470En existencias
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: 3 000

Si SMD/SMT PowerPAK-SO-8-4 N-Channel 2 Channel 60 V 23 A 22.3 mOhms, 22.3 mOhms - 20 V, 20 V 1.5 V 30 nC - 55 C + 175 C 34 W Enhancement AEC-Q101 TrenchFET Reel, Cut Tape, MouseReel
Vishay / Siliconix Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) P-CHANNEL 40-V (D-S) 175C MOSFET
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198En existencias
15 000Se espera el 28/5/2026
Min.: 1
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: 3 000

Si SMD/SMT PowerPAK SO-8 P-Channel 1 Channel 40 V 232 A 4.8 mOhms - 20 V, 20 V 2.5 V 219 nC - 55 C + 175 C 500 W Enhancement Reel, Cut Tape
Vishay Semiconductors Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-CHANNEL 80-V (D-S) 175C MOSFET
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2 861En existencias
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: 3 000

Si SMD/SMT N-Channel 1 Channel 80 V 15 A 33 mOhms - 20 V, 20 V 2.5 V 10 nC - 55 C + 175 C 45 W Enhancement Reel, Cut Tape, MouseReel
Vishay Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-CHANNEL 100-V (D-S) 175C MOSFET
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1 399En existencias
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: 3 000

Si SMD/SMT PowerPAK-SO-8-4 N-Channel 1 Channel 100 V 32 A 11 mOhms - 20 V, 20 V 1.5 V 34 nC - 55 C + 175 C 83 W Enhancement Reel, Cut Tape
Vishay Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-CHANNEL 30-V (D-S) 175C MOSFET
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2 865En existencias
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: 3 000

Si Reel, Cut Tape
Vishay Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) P-CHANNEL 40-V (D-S) 175C MOSFET
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5 990En existencias
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: 3 000

Si Reel, Cut Tape
Vishay Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-CHANNEL 200-V (D-S) 175C MOSFET
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2 130En existencias
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Si Reel, Cut Tape, MouseReel
Vishay Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-CHANNEL 100-V (D-S) 175C MOSFET
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2 773En existencias
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: 3 000

Si Reel, Cut Tape
Vishay Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) DUAL N-CHANNEL 100-V (D-S) 175C MOSF
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1 361En existencias
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: 3 000

Si Reel, Cut Tape
Vishay / Siliconix Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) P-CHANNEL 100-V (D-S) 175C MOSFET
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4 346En existencias
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: 3 000

Si SMD/SMT PowerPAK SO-8 P-Channel 1 Channel 100 V 33.6 A 32.2 mOhms - 20 V, 20 V 2.5 V 45 nC - 55 C + 175 C 68 W Enhancement TrenchFET Reel, Cut Tape, MouseReel
Vishay Semiconductors Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 40V Vds -/+20V Vgs PowerPAK SO-8L
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5 708En existencias
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Min.: 1
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: 3 000

Si SMD/SMT PowerPAK-SO-8-4 N-Channel 2 Channel 40 V 20 A, 60 A 4.5 mOhms, 11 mOhms - 20 V, 20 V 1.5 V 20 nC, 45 nC - 55 C + 175 C 27 W, 48 W Enhancement AEC-Q101 Reel, Cut Tape, MouseReel
Vishay Semiconductors Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 100V 32A 27watt AEC-Q101 Qualified
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15 887En existencias
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: 3 000

Si SMD/SMT PowerPAK-SO-8-4 N-Channel 1 Channel 100 V 32 A 11 mOhms - 20 V, 20 V 1.5 V 34 nC - 55 C + 175 C 83 W Enhancement AEC-Q101 TrenchFET Reel, Cut Tape, MouseReel
Vishay / Siliconix Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N Ch 100Vds 20Vgs AEC-Q101 Qualified
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26 871En existencias
18 000Se espera el 29/6/2026
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: 3 000

Si SMD/SMT PowerPAK-SO-8-4 N-Channel 1 Channel 100 V 48 A 11 mOhms - 20 V, 20 V 2.5 V 35 nC - 55 C + 175 C 68 W Enhancement AEC-Q101 Reel, Cut Tape, MouseReel
Vishay / Siliconix Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 100V 32A 83W AEC-Q101 Qualified
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1 515En existencias
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: 3 000

Si SMD/SMT PowerPAK-SO-8L-4 N-Channel 1 Channel 100 V 32 A 21 mOhms - 20 V, 20 V 2.5 V 63 nC - 55 C + 175 C 83 W Enhancement AEC-Q101 TrenchFET Reel, Cut Tape, MouseReel
Vishay / Siliconix Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 60V 30A 83W AEC-Q101 Qualified
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4 061En existencias
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Min.: 1
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: 3 000

Si SMD/SMT PowerPAK-SO-8-4 P-Channel 1 Channel 60 V 30 A 16 mOhms - 20 V, 20 V 2.5 V 90 nC - 55 C + 175 C 83 W Enhancement AEC-Q101 TrenchFET Reel, Cut Tape, MouseReel
Vishay / Siliconix Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 80V 32A 100W AEC-Q101 Qualified
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7 238En existencias
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Min.: 1
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: 3 000

Si SMD/SMT PowerPAK-SO-8-4 P-Channel 1 Channel 80 V 32 A 25 mOhms - 20 V, 20 V 1.5 V 101 nC - 55 C + 175 C 100 W Enhancement AEC-Q101 TrenchFET Reel, Cut Tape, MouseReel
Vishay / Siliconix Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N Ch 100Vds 20Vgs AEC-Q101 Qualified
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10 052En existencias
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Min.: 1
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: 3 000

Si SMD/SMT PowerPAK-SO-8-4 N-Channel 1 Channel 100 V 23 A 30 mOhms - 20 V, 20 V 1.5 V 20 nC - 55 C + 175 C 45 W Enhancement AEC-Q101 TrenchFET Reel, Cut Tape, MouseReel
Vishay / Siliconix Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) -80V Vds; +/-20V Vgs PowerPAK SO-8L
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10 029En existencias
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: 3 000

Si SMD/SMT PowerPAK-SO-8-4 P-Channel 1 Channel 80 V 16 A 80 mOhms - 20 V, 20 V 2.5 V 50 nC - 55 C + 175 C 45 W Enhancement Reel, Cut Tape, MouseReel
Vishay Semiconductors Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) Dual P-Channel 30V AEC-Q101 Qualified
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13 144En existencias
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Min.: 1
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: 3 000

Si SMD/SMT PowerPAK-SO-8-4 P-Channel 2 Channel 30 V 30 A 14 mOhms - 20 V, 20 V 2.5 V 50 nC - 55 C + 175 C 56 W Enhancement AEC-Q101 TrenchFET Reel, Cut Tape, MouseReel
Vishay Semiconductors Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) -60V -8A 27W AEC-Q101 Qualified
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6 922En existencias
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Min.: 1
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: 3 000

Si SMD/SMT PowerPAK-SO-8-4 P-Channel 2 Channel 60 V 8 A 67 mOhms, 67 mOhms - 20 V, 20 V 2.5 V 40 nC - 55 C + 175 C 27 W Enhancement AEC-Q101 TrenchFET Reel, Cut Tape, MouseReel
Vishay / Siliconix Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) RECOMMENDED ALT SQJ4
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1 172En existencias
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Min.: 1
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: 3 000

Si SMD/SMT PowerPAK-SO-8L-4 P-Channel 1 Channel 40 V 30 A 8 mOhms - 20 V, 20 V 2.5 V 150 nC - 55 C + 175 C 83 W Enhancement AEC-Q101 TrenchFET Reel, Cut Tape, MouseReel
Vishay / Siliconix Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) RECOMMENDED ALT SQJ4
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1 017En existencias
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Min.: 1
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: 3 000

Si SMD/SMT PowerPAK-SO-8L-4 N-Channel 1 Channel 60 V 24 A 19 mOhms - 20 V, 20 V 1.5 V 30 nC - 55 C + 175 C 45 W Enhancement AEC-Q101 TrenchFET Reel, Cut Tape, MouseReel
Vishay / Siliconix Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N Ch 40Vds 20Vgs AEC-Q101 Qualified
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3 445En existencias
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Min.: 1
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: 3 000

Si SMD/SMT PowerPAK-SO-8-4 N-Channel 1 Channel 40 V 15 A 27 mOhms - 20 V, 20 V 1.5 V 20 nC - 55 C + 175 C 45 W Enhancement AEC-Q101 TrenchFET Reel, Cut Tape, MouseReel
Vishay / Siliconix Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) P-CHANNEL 60-V (D-S) 175C MOSFET
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45 000En pedido
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: 3 000

Si SMD/SMT PowerPAK-SO-8-4 P-Channel 1 Channel 60 V 36 A 25 mOhms - 20 V, 20 V 2.5 V 65 nC - 55 C + 175 C 68 W Enhancement Reel, Cut Tape, MouseReel