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SQJ211ELP-T1_GE3

Name: Vishay SQJ211ELP-T1_GE3
Brand: Vishay / Siliconix
SKU: 78-SQJ211ELP-T1_GE3
Price: 1056 CRC
Availability: InStock

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Mouser N.º:

78-SQJ211ELP-T1_GE3

Fabricante N.º:

SQJ211ELP-T1_GE3

Fabricante:

Vishay / Siliconix

Descripción:

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) P-CHANNEL 100-V (D-S) 175C MOSFET

Hoja de datos:

SQJ211ELP-T1_GE3 Hoja de datos

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Envase tipo carrete completo (pedir en múltiplos de 3000)

Cinta cortada

MouseReel™ (+₡4 100)

Precio (CRC)

Cantidad	Precio unitario	Precio ext.
Cinta cortada / MouseReel™ ^†
	₡1 056	₡1 056
	₡748	₡7 480
	₡537	₡53 700
	₡428	₡214 000
	₡401	₡401 000
Envase tipo carrete completo (pedir en múltiplos de 3000)
	₡348	₡1 044 000
	₡334	₡2 004 000
24 000	Presupuesto

† ₡4 100 Se agregará y calculará la tarifa de MouseReel™ en su carrito de compras. Ningún artículo de MouseReel™ se puede cancelar ni devolver. ↩

.hidden-for-nojs { display: none; } .pull-right-nojs { justify-content: flex-end; }

Atributo del producto	Valor de atributo	Seleccionar atributo
Fabricante:	Vishay
Categoría de producto:	Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET)
RoHS:
Tecnología:	Si
Estilo de montaje:	SMD/SMT
Paquete / Cubierta:	PowerPAK SO-8
Polaridad del transistor:	P-Channel
Número de canales:	1 Channel
Vds - Tensión disruptiva entre drenaje y fuente:	100 V
Id - Corriente de drenaje continua:	33.6 A
Rds On - Resistencia entre drenaje y fuente:	32.2 mOhms
Vgs - Tensión entre puerta y fuente:	- 20 V, 20 V
Vgs th - Tensión umbral entre puerta y fuente:	2.5 V
Qg - Carga de puerta:	45 nC
Temperatura de trabajo mínima:	- 55 C
Temperatura de trabajo máxima:	+ 175 C
Dp - Disipación de potencia :	68 W
Modo canal:	Enhancement
Nombre comercial:	TrenchFET
Empaquetado:	Reel
Empaquetado:	Cut Tape
Empaquetado:	MouseReel
Marca:	Vishay / Siliconix
Tiempo de caída:	12 ns
Transconductancia hacia delante - Mín.:	20 S
Tipo de producto:	MOSFETs
Tiempo de subida:	4 ns
Serie:	SQJ
Cantidad de empaque de fábrica:	3000
Subcategoría:	Transistors
Tipo de transistor:	TrenchFET Power MOSFET
Tiempo de retardo de apagado típico:	37 ns
Tiempo típico de demora de encendido:	14 ns
Peso de la unidad:	2 g

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Hoja de datos

SQJ211ELP-T1_GE3 Hoja de datos

Models

R-C Thermal Model Parameters

Technical Resources

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CNHTS:: 8541290000
USHTS:: 8541290065
TARIC:: 8541290000
ECCN:: EAR99

SQJ211ELP Auto P-Channel 100V MOSFET

Vishay / Siliconix SQJ211ELP Auto P-Channel 100V MOSFET features -100V_DS drain-source current in a PowerPAK® SO-8L package with gullwing leads. This MOSFET features on-resistance down to 30Ω at 10V and a maximum operating temperature of +175°C. Vishay / Siliconix SQJ211ELP Auto P-Channel 100V MOSFET is AEC-Q101 qualified, 100% R_g and UIS tested, RoHS-compliant, and halogen-free.

SQJ Automotive MOSFETs

Vishay / Siliconix SQJ Automotive MOSFETs are TrenchFET^®Gen IV N-Channel 40V_DS power MOSFETs. These AEC-Q101 qualified MOSFETs are 100% R_g and Unclamped Inductive Switching (UIS) tested with less-than 1 Q_gd/Q_gs ratio that optimizes the switching characteristics. The Vishay / Siliconix SQJ Automotive MOSFETs offer very low R_DS(on) and operate within the -55°C to 175°C temperature range. These automotive-grade MOSFETs are available in a PowerPAK^® SO-8L package with single/dual configurations. Typical applications include automotive, engine management, motor drives and actuators, and battery management.