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 Fabricante:
Descripción Hoja de datos Disponibilidad Precio: (CRC) Filtre los resultados en la tabla por precio unitario en función de su cantidad.
Cantidad RoHS Modelo ECAD Tecnología
Estilo de montaje
Paquete / Cubierta
Polaridad del transistor
Número de canales
Vds - Tensión disruptiva entre drenaje y fuente
Id - Corriente de drenaje continua
Rds On - Resistencia entre drenaje y fuente
Vgs - Tensión entre puerta y fuente
Vgs th - Tensión umbral entre puerta y fuente
Qg - Carga de puerta
Temperatura de trabajo mínima
Temperatura de trabajo máxima
Dp - Disipación de potencia
Modo canal
Empaquetado

IXYS Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 2000V/1A HV Power MOSFET, TO-247HV
Hoja de datos
397En existencias
Min.: 1
Mult.: 1

Si Through Hole TO-247-3 N-Channel 2 kV 1 A 40 Ohms - 20 V, 20 V 2 V 23.5 nC - 55 C + 150 C 125 W Enhancement Tube
IXYS Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 2000V/1A HV Power MOSFET, TO-263HV
Hoja de datos
23En existencias
2 200En pedido
Min.: 1
Mult.: 1

Si SMD/SMT D2PAK-3 (TO-263-3) N-Channel 1 Channel 2 kV 1 A 40 Ohms - 20 V, 20 V 2 V 23.5 nC - 55 C + 150 C 125 W Enhancement Tube

IXYS Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 2000V/1A HV Power MOSFET, TO-247
Hoja de datos
600Se espera el 22/2/2027
Min.: 1
Mult.: 1

Si Through Hole TO-247-3 N-Channel 1 Channel 2 kV 1 A 40 Ohms - 20 V, 20 V 2 V 23.5 nC - 55 C + 150 C 125 W Enhancement Tube