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PSMN9R3-60HSX

Name: Nexperia PSMN9R3-60HSX
Brand: Nexperia
SKU: 771-PSMN9R3-60HSX
Price: 1218 CRC
Availability: OutOfStock

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Mouser N.º:

771-PSMN9R3-60HSX

Fabricante N.º:

PSMN9R3-60HSX

Fabricante:

Nexperia

Descripción:

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) PSMN9R3-60HS/SOT1205/LFPAK56D

Hoja de datos:

PSMN9R3-60HSX Hoja de datos (PDF)

Modelo ECAD:

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En pedido:: 7 500

Se espera el 1/3/2027
Plazo de entrega de fábrica:: 13

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Mínimo: 1 Múltiples: 1

Precio unitario:

₡-,--

Precio ext.:

₡-,--

Est. Tarifa:

Empaque:

Envase tipo carrete completo (pedir en múltiplos de 1500)

Cinta cortada

MouseReel™ (+₡4 100,00)

Precio (CRC)

Cantidad	Precio unitario	Precio ext.
Cinta cortada / MouseReel™ ^†
	₡1 218,00	₡1 218,00
	₡783,00	₡7 830,00
	₡528,38	₡52 838,00
	₡420,50	₡210 250,00
	₡372,94	₡372 940,00
Envase tipo carrete completo (pedir en múltiplos de 1500)
	₡372,94	₡559 410,00

† ₡4 100,00 Se agregará y calculará la tarifa de MouseReel™ en su carrito de compras. Ningún artículo de MouseReel™ se puede cancelar ni devolver. ↩

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Atributo del producto	Valor de atributo	Seleccionar atributo
Fabricante:	Nexperia
Categoría de producto:	Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET)
RoHS:
REACH - SVHC:
Tecnología:	Si
Estilo de montaje:	SMD/SMT
Paquete / Cubierta:	LFPAK-56D-8
Polaridad del transistor:	N-Channel
Número de canales:	2 Channel
Vds - Tensión disruptiva entre drenaje y fuente:	60 V
Id - Corriente de drenaje continua:	30 A
Rds On - Resistencia entre drenaje y fuente:	9.3 mOhms
Vgs - Tensión entre puerta y fuente:	- 20 V, 20 V
Vgs th - Tensión umbral entre puerta y fuente:	4 V
Qg - Carga de puerta:	34.2 nC
Temperatura de trabajo mínima:	- 55 C
Temperatura de trabajo máxima:	+ 175 C
Dp - Disipación de potencia :	68 W
Modo canal:	Enhancement
Empaquetado:	Reel
Empaquetado:	Cut Tape
Empaquetado:	MouseReel
Marca:	Nexperia
País de ensamblaje:	Not Available
País de difusión:	Not Available
País de origen:	PH
Tipo de producto:	MOSFETs
Cantidad de empaque de fábrica:	1500
Subcategoría:	Transistors
Alias de las piezas n.º:	934665389115

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CAHTS:: 8541290000
USHTS:: 8541290065
JPHTS:: 854129000
TARIC:: 8541290000
MXHTS:: 8541299900
ECCN:: EAR99

PSMN9R3 N-Channel MOSFET

Nexperia PSMN9R3 N-Channel MOSFET is a dual standard level N-channel MOSFET housed in an LFPAK56D (dual power-SO8) package. The Nexperia MOSFET uses TrenchMOS technology. The device is repetitive avalanche rated and qualified to 175°C.