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NCP51705MNTXG

Name: onsemi NCP51705MNTXG
Brand: onsemi
SKU: 863-NCP51705MNTXG
Price: 2395 CRC
Availability: InStock

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Mouser N.º:

863-NCP51705MNTXG

Fabricante N.º:

NCP51705MNTXG

Fabricante:

onsemi

Descripción:

Controladores de puertas SIC MOSFET DRIVER

Hoja de datos:

NCP51705MNTXG Hoja de datos

Modelo ECAD:

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₡-

Precio ext.:

₡-

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Empaque:

Envase tipo carrete completo (pedir en múltiplos de 3000)

Cinta cortada

MouseReel™ (+₡4 100)

Precio (CRC)

Cantidad	Precio unitario	Precio ext.
Cinta cortada / MouseReel™ ^†
	₡2 395	₡2 395
	₡1 839	₡18 390
	₡1 699	₡42 475
	₡1 520	₡152 000
	₡1 380	₡345 000
	₡1 346	₡673 000
	₡1 293	₡1 293 000
Envase tipo carrete completo (pedir en múltiplos de 3000)
	₡1 241	₡3 723 000
6 000	Presupuesto

† ₡4 100 Se agregará y calculará la tarifa de MouseReel™ en su carrito de compras. Ningún artículo de MouseReel™ se puede cancelar ni devolver. ↩

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Atributo del producto	Valor de atributo	Seleccionar atributo
Fabricante:	onsemi
Categoría de producto:	Controladores de puertas
RoHS:
Producto:	MOSFET Gate Drivers
Tipo:	Low-Side
Estilo de montaje:	SMD/SMT
Paquete / Cubierta:	QFN-24
Número de controladores:	1 Driver
Número de salidas:	1 Output
Corriente de salida:	6 A
Voltaje de alimentación - Mín.:	10 V
Voltaje de alimentación - Máx.:	22 V
Tiempo de subida:	8 ns
Tiempo de caída:	8 ns
Temperatura de trabajo mínima:	- 40 C
Temperatura de trabajo máxima:	+ 125 C
Serie:	NCP51705
Empaquetado:	Reel
Empaquetado:	Cut Tape
Empaquetado:	MouseReel
Marca:	onsemi
Tipo lógico:	TTL
Tiempo de retardo de apagado máximo:	50 ns
Tiempo de retardo de encendido máximo:	50 ns
Corriente de suministro operativa:	12 mA
Dp - Disipación de potencia :	2.9 W
Tipo de producto:	Gate Drivers
Retraso de propagación - Máx.:	50 ns
Apagado:	Shutdown
Cantidad de empaque de fábrica:	3000
Subcategoría:	PMIC - Power Management ICs
Tecnología:	Si

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NCP51705MNTXG Hoja de datos

PCN

CNHTS:: 8542399000
CAHTS:: 8542390000
USHTS:: 8542390090
JPHTS:: 8541290100
MXHTS:: 8542399999
ECCN:: EAR99

Wide Bandgap EliteSiC (Silicon Carbide) Devices

onsemi Wide Bandgap EliteSiC (Silicon Carbide) Devices provide superior switching performance and higher reliability compared to silicon. The system benefits include high efficiency, fast operating frequency, increased power density, reduced EMI, and reduced system size and cost. The EliteSiC portfolio includes 650V, 1200V, and 1700V diodes, 650V and 1200V IGBT and SiC diode Power Integrated Modules (PIMs), 1200V MOSFETs and SiC MOSFET drivers, and AEC-Q100 qualified devices.

NCP51705 Gate Driver

onsemi NCP51705 Gate Driver is designed to primarily drive SiC MOSFET transistors. This gate driver achieves the lowest possible conduction losses, the driver is capable to deliver the maximum gate voltage to the SiC MOSFET device. The NCP51705 driver utilizes its onboard charge pump to generate a user selectable negative voltage rail. This gate driver provides an externally accessible 5V rail to power the secondary side of digital or high-speed opto-isolators. The NCP51705 driver offers protection functions such as under-voltage lockout monitoring and thermal shutdown based on the junction temperature of the driver circuit. Typical applications include driving SiC MOSFETs, industrial inverters, motor drivers, PFC, AC to DC, and DC to DC converters.