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CY7C1049G30-10VXI

Name: Infineon CY7C1049G30-10VXI
Brand: Infineon Technologies
SKU: 727-CY7C1049G30-10VX
Price: 3052.23 CRC
Availability: InStock

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Mouser N.º:

727-CY7C1049G30-10VX

Fabricante N.º:

CY7C1049G30-10VXI

Fabricante:

Infineon Technologies

Descripción:

Tamaño de memoria RAM (SRAM) CMOS RAM W ECC 4-Mbit

Hoja de datos:

CY7C1049G30-10VXI Hoja de datos (PDF)

Modelo ECAD:

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Cantidad	Precio unitario	Precio ext.
	₡3 052,23	₡3 052,23
	₡3 003,44	₡30 034,40
	₡2 960,07	₡148 003,50
	₡2 802,85	₡280 285,00
	₡2 759,48	₡689 870,00
	₡2 689,00	₡1 532 730,00
	₡2 347,45	₡2 676 093,00

Embalaje alternativo

N.º de artículo del Fabricante:

CY7C1049G30-10VXIT

Embalaje:

Reel, Cut Tape

Disponibilidad:

En existencias

Precio:

₡3 301,62

Mín.:

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Atributo del producto	Valor de atributo	Seleccionar atributo
Fabricante:	Infineon
Categoría de producto:	Tamaño de memoria RAM (SRAM)
RoHS:
Tamaño de memoria:	4 Mbit
Organización:	512 k x 8
Tiempo de acceso:	10 ns
Tipo de interfaz:	Parallel
Voltaje de alimentación - Máx.:	3.6 V
Voltaje de alimentación - Mín.:	2.2 V
Corriente de suministro - Máx.:	45 mA
Temperatura de trabajo mínima:	- 40 C
Temperatura de trabajo máxima:	+ 85 C
Estilo de montaje:	SMD/SMT
Paquete / Cubierta:	SOJ-36
Empaquetado:	Tube
Marca:	Infineon Technologies
País de ensamblaje:	TW
País de difusión:	TW
País de origen:	TW
Tipo de memoria:	Volatile
Sensibles a la humedad:	Yes
Tipo de producto:	SRAM
Cantidad de empaque de fábrica:	570
Subcategoría:	Memory & Data Storage
Tipo:	Asynchronous
Peso de la unidad:	1,402 g

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Hoja de datos

CY7C1049G30-10VXI Hoja de datos (PDF)

Statement Regarding the RoHS Compliance of Cypress Products

CNHTS:: 8542329010
CAHTS:: 8542320030
USHTS:: 8542320041
JPHTS:: 854232029
KRHTS:: 8542321020
TARIC:: 8542324500
MXHTS:: 8542320299
ECCN:: 3A991.b.2.b

CY7C1049DV33 Fast Async SRAM

Infineon Technologies CY7C1049DV33 Fast Async SRAM is designed as a high-performance Complementary Metal Oxide Semiconductor (CMOS) Static RAM organized as 512K words by eight bits. The device provides easy memory expansion by an active LOW Chip Enable (CE), an active LOW Output Enable (OE), and tristate drivers. Users write to the device by taking Chip Enable (CE) and Write Enable (WE) inputs LOW. Data on the eight I/O pins (I/O0 through I/O7) is then written into the location specified on the address pins (A0 through A18).

Fast Async SRAMs

Infineon Technologies Fast Async SRAMs include product offerings ranging from 64Kbit up to 32Mbit. Fast SRAMs are available in industry-standard voltage, bus-width, and package options. Developed using Infineon's high-performance CMOS technology, these devices offer fast access times (8ns to 12ns), making them an ideal choice in applications such as switches and routers, IP phones, test equipment, DSLAM cards, and automotive electronics. In addition, Infineon Fast Asynchronous SRAMs are available in industrial and automotive temperature grades.