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NVMJS3D0N06CTWG

Name: onsemi NVMJS3D0N06CTWG
Brand: onsemi
SKU: 863-NVMJS3D0N06CTWG
Price: 1717.54 CRC
Availability: InStock

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Mouser N.º:

863-NVMJS3D0N06CTWG

Fabricante N.º:

NVMJS3D0N06CTWG

Fabricante:

onsemi

Descripción:

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) T6 60V SL LFPAK8 5X6

Ciclo de vida:

NRND:

No recomendado para nuevos diseños.

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Atributo del producto	Valor de atributo	Seleccionar atributo
Fabricante:	onsemi
Categoría de producto:	Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET)
RoHS:
REACH - SVHC:
Tecnología:	Si
Estilo de montaje:	SMD/SMT
Paquete / Cubierta:	LFPAK-8
Polaridad del transistor:	N-Channel
Número de canales:	1 Channel
Vds - Tensión disruptiva entre drenaje y fuente:	60 V
Id - Corriente de drenaje continua:	139.3 A
Rds On - Resistencia entre drenaje y fuente:	2.9 mOhms
Vgs - Tensión entre puerta y fuente:	- 20 V, 20 V
Vgs th - Tensión umbral entre puerta y fuente:	4 V
Qg - Carga de puerta:	34 nC
Temperatura de trabajo mínima:	- 55 C
Temperatura de trabajo máxima:	+ 175 C
Dp - Disipación de potencia :	112.5 W
Modo canal:	Enhancement
Empaquetado:	Reel
Empaquetado:	Cut Tape
Marca:	onsemi
Configuración:	Single
Tiempo de caída:	7 ns
Tipo de producto:	MOSFETs
Tiempo de subida:	6 ns
Serie:	NVMJS3D0N06C
Cantidad de empaque de fábrica:	3000
Subcategoría:	Transistors
Tipo de transistor:	1 N-Channel
Tiempo de retardo de apagado típico:	27 ns
Tiempo típico de demora de encendido:	16 ns

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PCN

Product Change Notification 2024-06-12 (PDF)

Material Composition Disclosure

Códigos de cumplimiento

CNHTS:: 8541290000
CAHTS:: 8541290000
USHTS:: 8541290065
JPHTS:: 854129000
TARIC:: 8541290000
MXHTS:: 8541299900
ECCN:: EAR99

Clasificaciones de origen

País de origen:: Filipinas
País de origen del ensamblaje:: Filipinas
País de difusión:: Japón

El país está sujeto a cambios en el momento del envío.

NVMJS3D0N06C Automotive Power MOSFET

onsemi NVMJS3D0N06C Automotive Power MOSFET delivers high performance in a 5mm x 6mm LFPAK package. The AEC-Q101-qualified and PPAP-capable NVMJS3D0N06C is ideal for compact and efficient designs in automotive applications requiring enhanced board-level reliability.

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Cantidad	Precio unitario	Precio ext.
	₡1 717,54	₡1 717,54
	₡858,77	₡8 587,70
	₡775,49	₡77 549,00
	₡624,56	₡312 280,00
	₡614,15	₡614 150,00
Envase tipo carrete completo (pedir en múltiplos de 3000)
	₡567,31	₡1 701 930,00

NVMJS3D0N06CTWG

Fabricante: onsemi

Descripción: Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) T6 60V SL LFPAK8 5X6

Especificaciones

Documentos (2)

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Cumplimiento de productos y comercio

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