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PMZ290UNE2YL

Name: Nexperia PMZ290UNE2YL
Brand: Nexperia
SKU: 771-PMZ290UNE2YL
Price: 145 CRC
Availability: OutOfStock

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Mouser N.º:

771-PMZ290UNE2YL

Fabricante N.º:

PMZ290UNE2YL

Fabricante:

Nexperia

Descripción:

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) PMZ290UNE2/SOT883/XQFN3

Hoja de datos:

PMZ290UNE2YL Hoja de datos (PDF)

Modelo ECAD:

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Plazo de entrega de fábrica:: 12

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₡-,--

Est. Tarifa:

Empaque:

Envase tipo carrete completo (pedir en múltiplos de 10000)

Cinta cortada

MouseReel™ (+₡4 100,00)

Precio (CRC)

Cantidad	Precio unitario	Precio ext.
Cinta cortada / MouseReel™ ^†
	₡145,00	₡145,00
	₡87,58	₡875,80
	₡54,52	₡5 452,00
	₡40,02	₡20 010,00
	₡31,32	₡31 320,00
	₡27,26	₡136 300,00
Envase tipo carrete completo (pedir en múltiplos de 10000)
	₡21,46	₡214 600,00
	₡20,30	₡406 000,00

† ₡4 100,00 Se agregará y calculará la tarifa de MouseReel™ en su carrito de compras. Ningún artículo de MouseReel™ se puede cancelar ni devolver. ↩

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Atributo del producto	Valor de atributo	Seleccionar atributo
Fabricante:	Nexperia
Categoría de producto:	Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET)
RoHS:
Tecnología:	Si
Estilo de montaje:	SMD/SMT
Paquete / Cubierta:	DFN-1006-3
Polaridad del transistor:	N-Channel
Número de canales:	1 Channel
Vds - Tensión disruptiva entre drenaje y fuente:	20 V
Id - Corriente de drenaje continua:	1.2 A
Rds On - Resistencia entre drenaje y fuente:	320 mOhms
Vgs - Tensión entre puerta y fuente:	- 8 V, 8 V
Vgs th - Tensión umbral entre puerta y fuente:	450 mV
Qg - Carga de puerta:	800 pC
Temperatura de trabajo mínima:	- 55 C
Temperatura de trabajo máxima:	+ 150 C
Dp - Disipación de potencia :	715 mW
Modo canal:	Enhancement
Empaquetado:	Reel
Empaquetado:	Cut Tape
Empaquetado:	MouseReel
Marca:	Nexperia
Configuración:	Single
País de ensamblaje:	Not Available
País de difusión:	Not Available
País de origen:	MY
Tiempo de caída:	4 ns
Tipo de producto:	MOSFETs
Tiempo de subida:	10 ns
Cantidad de empaque de fábrica:	10000
Subcategoría:	Transistors
Tipo de transistor:	1 N-Channel
Tiempo de retardo de apagado típico:	11 ns
Tiempo típico de demora de encendido:	6 ns
Alias de las piezas n.º:	934068801315
Peso de la unidad:	0,800 mg

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Hoja de datos

PMZ290UNE2YL Hoja de datos (PDF)

Application Notes

Power MOSFET Single-Shot and Repetitive Avalanche Ruggedness Rating - June 20, 2022 (PDF)

CNHTS:: 8541210000
CAHTS:: 8541210000
USHTS:: 8541210095
JPHTS:: 854121000
KRHTS:: 8541219000
TARIC:: 8541210000
MXHTS:: 8541210100
ECCN:: EAR99

PMZ290UNE N-Channel MOSFET

Nexperia PMZ290UNE N-Channel MOSFET is an enhancement mode Field-Effect Transistor (FET) with low threshold voltage and fast switching. This MOSFET offers 2kV HBM. The PMZ290UNE MOSFET is available in a 1.0mm x 0.6mm x 0.48mm leadless small DFN1006-3 (SOT883) SMD plastic package using Trench MOSFET technology. Nexperia PMZ290UNE N-Channel MOSFET is ideal for relay drivers, high-speed line drivers, low-side load switches, and switching circuits.