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TM3B0020120A

Name: Coherent TM3B0020120A
Brand: Coherent
SKU: 508-TM3B0020120
Price: 24273 CRC
Availability: InStock

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Mouser N.º:

508-TM3B0020120

Fabricante N.º:

TM3B0020120A

Fabricante:

Coherent

Descripción:

MOSFETs de SiC 1200V SIC Mosfet 20mOHm 200C Temp TO247-4 AEC-Q101

Hoja de datos:

TM3B0020120A Hoja de datos (PDF)

Modelo ECAD:

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	₡24 273	₡24 273
	₡21 089	₡210 890
	₡18 444	₡2 213 280
1 020	Presupuesto

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Atributo del producto	Valor de atributo	Seleccionar atributo
Fabricante:	Coherent
Categoría de producto:	MOSFETs de SiC
RoHS:
Estilo de montaje:	Through Hole
Paquete / Cubierta:	TO-247-4
Polaridad del transistor:	N-Channel
Número de canales:	1 Channel
Vds - Tensión disruptiva entre drenaje y fuente:	1.2 kV
Id - Corriente de drenaje continua:	115 A
Rds On - Resistencia entre drenaje y fuente:	24.3 mOhms
Vgs - Tensión entre puerta y fuente:	- 20 V, + 20 V
Vgs th - Tensión umbral entre puerta y fuente:	2.8 V
Qg - Carga de puerta:	172 nC
Temperatura de trabajo mínima:	- 55 C
Temperatura de trabajo máxima:	+ 200 C
Dp - Disipación de potencia :	660 W
Modo canal:	Enhancement
Marca:	Coherent
Configuración:	Single
Tiempo de caída:	12 ns
Transconductancia hacia delante - Mín.:	30 S
Empaquetado:	Tube
Producto:	SiC MOSFETS
Tipo de producto:	SiC MOSFETS
Tiempo de subida:	39 ns
Cantidad de empaque de fábrica:	30
Subcategoría:	Transistors
Tecnología:	SiC
Tipo de transistor:	1 N-Channel
Tipo:	MOSFET
Tiempo de retardo de apagado típico:	38 ns
Tiempo típico de demora de encendido:	17 ns

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Hoja de datos

TM3B0020120A Hoja de datos (PDF)

CNHTS:: 8541290000
CAHTS:: 8541290000
USHTS:: 8541290065
JPHTS:: 854129000
TARIC:: 8541290000
MXHTS:: 8541299900
ECCN:: EAR99

TM3x00 1200V SIC MOSFETs

Coherent TM3x00 1200V SIC MOSFETs feature low R_DS(on), superior thermal performance, and industry-leading avalanche capability, ensuring exceptional efficiency and versatility for automotive, industrial, and aerospace systems. The TM3x00 devices are built on Coherent's advanced Gen3+ technology platform and implement fast switching via ultra-low gate resistance. The TM3x00 1200V MOSFETs also provide very low-temperature invariant switching losses in TO247-4L, TSPAK, and TO263-7L package options. These devices are AEC-Q101 qualified at +200°C junction temperature and are proven in AS9100-rated aerospace applications.