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PSMN028-100HSX

Name: Nexperia PSMN028-100HSX
Brand: Nexperia
SKU: 771-PSMN028-100HSX
Price: 1427 CRC
Availability: InStock

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Mouser N.º:

771-PSMN028-100HSX

Fabricante N.º:

PSMN028-100HSX

Fabricante:

Nexperia

Descripción:

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) SOT1205 100V 29A

Hoja de datos:

PSMN028-100HSX Hoja de datos (PDF)

Modelo ECAD:

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₡-

Precio ext.:

₡-

Est. Tarifa:

Empaque:

Envase tipo carrete completo (pedir en múltiplos de 1500)

Cinta cortada

MouseReel™ (+₡4 100)

Precio (CRC)

Cantidad	Precio unitario	Precio ext.
Cinta cortada / MouseReel™ ^†
	₡1 427	₡1 427
	₡916	₡9 160
	₡789	₡39 450
	₡621	₡62 100
	₡615	₡153 750
	₡603	₡301 500
Envase tipo carrete completo (pedir en múltiplos de 1500)
	₡411	₡616 500
	₡317	₡951 000
	₡305	₡1 372 500

† ₡4 100 Se agregará y calculará la tarifa de MouseReel™ en su carrito de compras. Ningún artículo de MouseReel™ se puede cancelar ni devolver. ↩

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Atributo del producto	Valor de atributo	Seleccionar atributo
Fabricante:	Nexperia
Categoría de producto:	Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET)
RoHS:
REACH - SVHC:
Tecnología:	Si
Estilo de montaje:	SMD/SMT
Paquete / Cubierta:	LFPAK-56D-8
Polaridad del transistor:	N-Channel
Número de canales:	2 Channel
Vds - Tensión disruptiva entre drenaje y fuente:	100 V
Id - Corriente de drenaje continua:	29 A
Rds On - Resistencia entre drenaje y fuente:	27.5 mOhms
Vgs - Tensión entre puerta y fuente:	- 20 V, 20 V
Vgs th - Tensión umbral entre puerta y fuente:	4 V
Qg - Carga de puerta:	34 nC
Temperatura de trabajo mínima:	- 55 C
Temperatura de trabajo máxima:	+ 175 C
Dp - Disipación de potencia :	64 W
Modo canal:	Enhancement
Empaquetado:	Reel
Empaquetado:	Cut Tape
Empaquetado:	MouseReel
Marca:	Nexperia
Tipo de producto:	MOSFETs
Cantidad de empaque de fábrica:	1500
Subcategoría:	Transistors
Alias de las piezas n.º:	934665467115

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JPHTS:: 854129000
TARIC:: 8541290000
MXHTS:: 8541299900
ECCN:: EAR99

PSMN028 N-Channel MOSFET

Nexperia PSMN028 N-Channel MOSFET is a dual standard level N-channel MOSFET housed in an LFPAK56D (Dual Power-SO8) package. The Nexperia MOSFET uses TrenchMOS technology. The device features a high peak drain current IDM and a copper clip with flexible Leads.