CoolGaN™ 650V G5 Transistors

Infineon Technologies CoolGaN™ 650V G5 Transistors feature highly efficient gallium nitride (GaN) transistor technology for power conversion. The 650V G5 family addresses consumer, data center, industrial, and solar application challenges. The transistors offer improved system efficiency and power density with ultra-fast switching capability. The CoolGaN technology provides discrete and integrated solutions designed to enhance overall system performance. The Infineon Technologies CoolGaN 650V G5 Transistors enable high operating frequencies and reduce EMI ratings. The transistors are ideal for power distribution, switch-mode power supplies (SMPS), telecommunications, and other industrial applications.

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Descripción Hoja de datos Disponibilidad Precio: (CRC) Filtre los resultados en la tabla por precio unitario en función de su cantidad.
Cantidad RoHS Modelo ECAD Estilo de montaje
Paquete / Cubierta
Polaridad del transistor
Número de canales
Vds - Tensión disruptiva entre drenaje y fuente
Id - Corriente de drenaje continua
Rds On - Resistencia entre drenaje y fuente
Vgs - Tensión entre puerta y fuente
Vgs th - Tensión umbral entre puerta y fuente
Qg - Carga de puerta
Temperatura de trabajo mínima
Temperatura de trabajo máxima
Dp - Disipación de potencia
Modo canal
Nombre comercial
Infineon Technologies GaN FETs Two 140 mohm / 650 V GaN transistors in half-bridge configuration
Hoja de datos
2 392En existencias
Min.: 1
Mult.: 1
Carrete: 3 000

SMD/SMT QFN-32 N-Channel 2 Channel 650 V 170 mOhms 1.6 V 1.8 nC - 55 C + 150 C
Infineon Technologies GaN FETs CoolGaN Transistor 650 V G5
Hoja de datos
2 022En existencias
Min.: 1
Mult.: 1
Carrete: 3 000

SMD/SMT HEMT 1 Channel 650 V 22 A 70 mOhms - 10 V 1.6 V 4.7 nC - 55 C + 150 C 111 W Enhancement CoolGaN
Infineon Technologies GaN FETs CoolGaN Transistor 650 V G5
Hoja de datos
2 304En existencias
Min.: 1
Mult.: 1
Carrete: 3 000

SMD/SMT HEMT 1 Channel 650 V 18 A 100 mOhms - 10 V 1.6 V 25 nC - 55 C + 150 C 81 W Enhancement CoolGaN
Infineon Technologies GaN FETs CoolGaN Transistor 650 V G5
Hoja de datos
2 388En existencias
Min.: 1
Mult.: 1
Carrete: 3 000

SMD/SMT HEMT 1 Channel 650 V 16 A 140 mOhms - 10 V 1.6 V 2.4 nC - 55 C + 150 C 59 W Enhancement CoolGaN
Infineon Technologies GaN FETs CoolGaN Transistor 650 V G5
Hoja de datos
2 263En existencias
Min.: 1
Mult.: 1
Carrete: 3 000

SMD/SMT HEMT 1 Channel 650 V 13 A 170 mOhms - 10 V 1.6 V 1.8 nC - 55 C + 150 C 47 W Enhancement CoolGaN
Infineon Technologies GaN FETs CoolGaN Transistor 650 V G5
Hoja de datos
2 535En existencias
Min.: 1
Mult.: 1
Carrete: 3 000

SMD/SMT PG-LSON-8 HEMT 1 Channel 650 V 20 A 70 mOhms - 10 V 1.2 V 4.7 nC - 55 C + 150 C 91 W Enhancement CoolGaN
Infineon Technologies GaN FETs CoolGaN Transistor 650 V G5
Hoja de datos
2 832En existencias
Min.: 1
Mult.: 1
Carrete: 3 000

SMD/SMT PG-LSON-8 HEMT 1 Channel 650 V 18 A 100 mOhms - 10 V 1.2 V 3.3 nC - 55 C + 150 C 68 W Enhancement CoolGaN
Infineon Technologies GaN FETs CoolGaN Transistor 650 V G5
Hoja de datos
2 696En existencias
Min.: 1
Mult.: 1
Carrete: 3 000

SMD/SMT PG-LSON-8 HEMT 1 Channel 650 V 20 A 140 mOhms - 10 V 1.2 V 2.4 nC - 55 C + 150 C 51 W Enhancement CoolGaN
Infineon Technologies GaN FETs CoolGaN Transistor 650 V G5
Hoja de datos
2 797En existencias
Min.: 1
Mult.: 1
Carrete: 3 000

SMD/SMT PG-LSON-8 HEMT 1 Channel 650 V 12 A 170 mOhms - 10 V 1.2 V 1.8 nC - 55 C + 150 C 42 W Enhancement CoolGaN
Infineon Technologies GaN FETs CoolGaN Transistor 650 V G5
Hoja de datos
1 499En existencias
2 000Se espera el 5/3/2026
Min.: 1
Mult.: 1
Carrete: 2 000

SMD/SMT PG-HSOF-8 HEMT 1 Channel 650 V 70 A 30 mOhms - 10 V 1.6 V 11 nC - 55 C + 150 C 236 W Enhancement CoolGaN
Infineon Technologies GaN FETs CoolGaN Transistor 650 V G5
Hoja de datos
2 000En existencias
2 000Se espera el 16/2/2026
Min.: 1
Mult.: 1
Carrete: 2 000

SMD/SMT PG-HSOF-8 HEMT 1 Channel 650 V 49 A 42 mOhms - 10 V 1.6 V 7.7 nC - 55 C + 150 C 167 W Enhancement CoolGaN
Infineon Technologies GaN FETs CoolGaN Transistor 650 V G5
Hoja de datos
1 872En existencias
Min.: 1
Mult.: 1
Carrete: 2 000

SMD/SMT PG-HSOF-8 HEMT 1 Channel 650 V 38 A 54 mOhms - 10 V 1.6 V 6 nC - 55 C + 150 C 131 W Enhancement CoolGaN
Infineon Technologies GaN FETs CoolGaN Transistor 650 V G5
Hoja de datos
1 503En existencias
Min.: 1
Mult.: 1
Carrete: 2 000

SMD/SMT PG-HSOF-8 HEMT 1 Channel 650 V 31 A 66 mOhms - 10 V 1.6 V 4.7 nC - 55 C + 150 C 106 W Enhancement CoolGaN
Infineon Technologies GaN FETs CoolGaN Transistor 650 V G5
Hoja de datos
1 631En existencias
Min.: 1
Mult.: 1
Carrete: 2 000

SMD/SMT PG-HSOF-8 HEMT 1 Channel 650 V 13 A 170 mOhms - 10 V 1.6 V 1.8 nC - 55 C + 150 C 47 W Enhancement CoolGaN