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 Fabricante:
Descripción Hoja de datos Disponibilidad Precio: (CRC) Filtre los resultados en la tabla por precio unitario en función de su cantidad.
Cantidad RoHS Modelo ECAD Estilo de montaje
Paquete / Cubierta
Polaridad del transistor
Número de canales
Vds - Tensión disruptiva entre drenaje y fuente
Id - Corriente de drenaje continua
Rds On - Resistencia entre drenaje y fuente
Vgs - Tensión entre puerta y fuente
Vgs th - Tensión umbral entre puerta y fuente
Qg - Carga de puerta
Temperatura de trabajo mínima
Temperatura de trabajo máxima
Dp - Disipación de potencia
Modo canal
Nombre comercial
Infineon Technologies GaN FETs Two 140 mohm / 650 V GaN transistors in half-bridge configuration
Hoja de datos
2 678En existencias
Min.: 1
Mult.: 1
: 3 000

SMD/SMT QFN-32 N-Channel 2 Channel 650 V 170 mOhms 1.6 V 1.8 nC - 55 C + 150 C
Infineon Technologies GaN FETs CoolGaN Transistor 650 V G5
Hoja de datos
1 948En existencias
Min.: 1
Mult.: 1
: 3 000

SMD/SMT HEMT 1 Channel 650 V 22 A 70 mOhms - 10 V 1.6 V 4.7 nC - 55 C + 150 C 111 W Enhancement CoolGaN
Infineon Technologies GaN FETs CoolGaN Transistor 650 V G5
Hoja de datos
2 529En existencias
Min.: 1
Mult.: 1
: 3 000

SMD/SMT HEMT 1 Channel 650 V 18 A 100 mOhms - 10 V 1.6 V 25 nC - 55 C + 150 C 81 W Enhancement CoolGaN
Infineon Technologies GaN FETs CoolGaN Transistor 650 V G5
Hoja de datos
2 577En existencias
Min.: 1
Mult.: 1
: 3 000

SMD/SMT HEMT 1 Channel 650 V 16 A 140 mOhms - 10 V 1.6 V 2.4 nC - 55 C + 150 C 59 W Enhancement CoolGaN
Infineon Technologies GaN FETs CoolGaN Transistor 650 V G5
Hoja de datos
2 407En existencias
Min.: 1
Mult.: 1
: 3 000

SMD/SMT HEMT 1 Channel 650 V 13 A 170 mOhms - 10 V 1.6 V 1.8 nC - 55 C + 150 C 47 W Enhancement CoolGaN
Infineon Technologies GaN FETs CoolGaN Transistor 650 V G5
Hoja de datos
2 307En existencias
Min.: 1
Mult.: 1
: 3 000

SMD/SMT PG-LSON-8 HEMT 1 Channel 650 V 20 A 70 mOhms - 10 V 1.2 V 4.7 nC - 55 C + 150 C 91 W Enhancement CoolGaN
Infineon Technologies GaN FETs CoolGaN Transistor 650 V G5
Hoja de datos
2 692En existencias
Min.: 1
Mult.: 1
: 3 000

SMD/SMT PG-LSON-8 HEMT 1 Channel 650 V 18 A 100 mOhms - 10 V 1.2 V 3.3 nC - 55 C + 150 C 68 W Enhancement CoolGaN
Infineon Technologies GaN FETs CoolGaN Transistor 650 V G5
Hoja de datos
2 664En existencias
Min.: 1
Mult.: 1
: 3 000

SMD/SMT PG-LSON-8 HEMT 1 Channel 650 V 20 A 140 mOhms - 10 V 1.2 V 2.4 nC - 55 C + 150 C 51 W Enhancement CoolGaN
Infineon Technologies GaN FETs CoolGaN Transistor 650 V G5
Hoja de datos
2 717En existencias
Min.: 1
Mult.: 1
: 3 000

SMD/SMT PG-LSON-8 HEMT 1 Channel 650 V 12 A 170 mOhms - 10 V 1.2 V 1.8 nC - 55 C + 150 C 42 W Enhancement CoolGaN
Infineon Technologies GaN FETs CoolGaN Transistor 650 V G5
Hoja de datos
267En existencias
6 000En pedido
MouseReel Disponible
Min.: 1
Mult.: 1
: 2 000

SMD/SMT PG-HSOF-8 HEMT 1 Channel 650 V 70 A 30 mOhms - 10 V 1.6 V 11 nC - 55 C + 150 C 236 W Enhancement CoolGaN
Infineon Technologies GaN FETs CoolGaN Transistor 650 V G5
Hoja de datos
642En existencias
8 000Se espera el 17/9/2026
MouseReel Disponible
Min.: 1
Mult.: 1
: 2 000

SMD/SMT PG-HSOF-8 HEMT 1 Channel 650 V 49 A 42 mOhms - 10 V 1.6 V 7.7 nC - 55 C + 150 C 167 W Enhancement CoolGaN
Infineon Technologies GaN FETs CoolGaN Transistor 650 V G5
Hoja de datos
1 746En existencias
Min.: 1
Mult.: 1
: 2 000

SMD/SMT PG-HSOF-8 HEMT 1 Channel 650 V 38 A 54 mOhms - 10 V 1.6 V 6 nC - 55 C + 150 C 131 W Enhancement CoolGaN
Infineon Technologies GaN FETs CoolGaN Transistor 650 V G5
Hoja de datos
1 544En existencias
Min.: 1
Mult.: 1
: 2 000

SMD/SMT PG-HSOF-8 HEMT 1 Channel 650 V 13 A 170 mOhms - 10 V 1.6 V 1.8 nC - 55 C + 150 C 47 W Enhancement CoolGaN
Infineon Technologies GaN FETs CoolGaN Transistor 650 V G5
Hoja de datos
355En existencias
2 000Se espera el 23/7/2026
Min.: 1
Mult.: 1
: 2 000

SMD/SMT PG-HSOF-8 HEMT 1 Channel 650 V 31 A 66 mOhms - 10 V 1.6 V 4.7 nC - 55 C + 150 C 106 W Enhancement CoolGaN