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 Fabricante:
Descripción Hoja de datos Disponibilidad Precio: (CRC) Filtre los resultados en la tabla por precio unitario en función de su cantidad.
Cantidad RoHS Modelo ECAD Estilo de montaje
Paquete / Cubierta
Polaridad del transistor
Número de canales
Vds - Tensión disruptiva entre drenaje y fuente
Id - Corriente de drenaje continua
Rds On - Resistencia entre drenaje y fuente
Vgs - Tensión entre puerta y fuente
Vgs th - Tensión umbral entre puerta y fuente
Qg - Carga de puerta
Temperatura de trabajo mínima
Temperatura de trabajo máxima
Dp - Disipación de potencia
Modo canal
ROHM Semiconductor GaN FETs GaN FETs 650V, 23A, 70m
Hoja de datos
1 206En existencias
3 500Se espera el 5/11/2026
Min.: 1
Mult.: 1
: 3 500
SMD/SMT DFN8080CK-8 N-Channel 1 Channel 650 V 27.2 A 98 mOhms - 10 V, + 6.5 V 2.5 V 4.7 nC - 55 C + 150 C 169 W Enhancement
ROHM Semiconductor GaN FETs GaN FETs 650V, 14.5A, 130m, Pd 91W
Hoja de datos
1 493En existencias
3 500Se espera el 6/11/2026
Min.: 1
Mult.: 1
: 3 500
SMD/SMT DFN8080CK-8 N-Channel 1 Channel 650 V 14.5 A 182 mOhms - 10 V, + 6.5 V 2.5 V 2.8 nC - 55 C + 150 C 91 W Enhancement
ROHM Semiconductor GaN FETs TOLL8N 650V 27A HEMT
Hoja de datos
1 933En existencias
Min.: 1
Mult.: 1
: 2 000

SMD/SMT TOLL-8N N-Channel 1 Channel 650 V 27 A 98 mOhms - 10 V to + 6.5 V 1.5 V 5.2 nC - 55 C + 150 C 159 W Enhancement
ROHM Semiconductor GaN FETs DFN 650V 33.8 HEMT
Hoja de datos
3 500En pedido
Min.: 1
Mult.: 1
: 3 500

SMD/SMT DFN-8 N-Channel 1 Channel 650 V 33.8 A 70 mOhms - 10 V, 6.5 V 2.5 V 6.4 nC - 55 C + 150 C 187 W Enhancement