Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) T6 40V HEFET
NVMFS5C404NLWFAFT1G
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863-NVMFS5C404NWAT1G
onsemi
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) T6 40V HEFET
61 En existencias
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Si
SMD/SMT
SOIC-8
N-Channel
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Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 40V 12 MOHM T6 S08FL SING
NVMFS5C468NT1G
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3 000 Se espera el 23/2/2026
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863-NVMFS5C468NT1G
onsemi
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 40V 12 MOHM T6 S08FL SING
597 En existencias
3 000 Se espera el 23/2/2026
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Si
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SO-8FL-4
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AEC-Q101
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Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) NFET SO8FL 60V
NVMFS5C612NLWFAFT1G
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Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) NFET SO8FL 60V
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Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) T6 60V S08FL SINGLE
NVMFS5C680NLT1G
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3 000 Se espera el 27/2/2026
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onsemi
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) T6 60V S08FL SINGLE
39 En existencias
3 000 Se espera el 27/2/2026
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Detalles
Si
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SO-8FL-4
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Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) AFSM T6 40V LL U8FL WF
NVTFS5C466NLWFTAG
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Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) AFSM T6 40V LL U8FL WF
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Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) AFSM T6 40V LL U8FL WF
NVTFS5C471NLWFTAG
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863-NVTFS5C471NLWFTA
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Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) AFSM T6 40V LL U8FL WF
567 En existencias
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Detalles
Si
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WDFN-8
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Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) NFET SO8FL 40V 373A 750MO
NVMFS5C404NLWFT1G
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1 500 Se espera el 30/3/2026
NRND
N.º de artículo de Mouser
863-NVM404NLWFT1G
NRND
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Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) NFET SO8FL 40V 373A 750MO
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1 500 Se espera el 30/3/2026
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Detalles
Si
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SO-8FL
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Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) NFET SO8FL 60V 235A 1.5MO
NVMFS5C612NLT1G
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238 En existencias
NRND
N.º de artículo de Mouser
863-NVMFS5C612NLT1G
NRND
onsemi
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) NFET SO8FL 60V 235A 1.5MO
238 En existencias
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Detalles
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1 Channel
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AEC-Q101
Reel, Cut Tape, MouseReel
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) NFET SO8FL 40V 172A 2.3M0
NVMFS5830NLWFT1G-UM
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1 500 Se espera el 10/4/2026
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N.º de artículo de Mouser
863-FS5830NLWFT1G-UM
Nuevo producto
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Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) NFET SO8FL 40V 172A 2.3M0
1 500 Se espera el 10/4/2026
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Detalles
Si
SMD/SMT
DFN-5
N-Channel
1 Channel
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Reel, Cut Tape
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) NFET SO8FL 60V 235A 1.5MO
NVMFS5C612NLET1G
onsemi
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₡2 900
1 500 Se espera el 27/3/2026
Nuevo producto
N.º de artículo de Mouser
863-NVMFS5C612NLET1G
Nuevo producto
onsemi
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) NFET SO8FL 60V 235A 1.5MO
1 500 Se espera el 27/3/2026
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₡1 056
Comprar
Min.: 1
Mult.: 1
Detalles
Si
SMD/SMT
DFN-5
N-Channel
1 Channel
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Enhancement
Reel, Cut Tape
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) AFSM T6 40V LL U8FL
NVTFS5C466NLETAG
onsemi
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₡1 085
1 500 Se espera el 24/2/2026
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N.º de artículo de Mouser
863-NVTFS5C466NLETAG
Nuevo producto
onsemi
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) AFSM T6 40V LL U8FL
1 500 Se espera el 24/2/2026
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1 000
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Comprar
Min.: 1
Mult.: 1
Detalles
Si
SMD/SMT
WDFN-8
N-Channel
1 Channel
40 V
51 A
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+ 175 C
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Reel, Cut Tape
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) NFET SO8FL 40V 120A 4.2MO
NVMFS5832NLWFT1G-UM
onsemi
1:
₡1 137
1 500 Se espera el 10/4/2026
Nuevo producto
N.º de artículo de Mouser
863-FS5832NLWFT1G-UM
Nuevo producto
onsemi
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) NFET SO8FL 40V 120A 4.2MO
1 500 Se espera el 10/4/2026
1
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1 000
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1 500
₡355
Comprar
Min.: 1
Mult.: 1
Detalles
Si
SMD/SMT
DFN-5
N-Channel
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40 V
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20 V
2.4 V
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+ 175 C
127 W
Enhancement
Reel, Cut Tape
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) T6 40V HEFET
NVMFS5C404NLWFAFT3G
onsemi
5 000:
₡2 146
35 000 Existencias en fábrica disponibles
NRND
N.º de artículo de Mouser
863-NVMFS5C404NLAT3G
NRND
onsemi
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) T6 40V HEFET
35 000 Existencias en fábrica disponibles
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Min.: 5 000
Mult.: 5 000
Detalles
Si
SMD/SMT
SO-8FL
N-Channel
1 Channel
40 V
52 A, 370 A
520 uOhms
- 20 V, 20 V
1.2 V
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- 55 C
+ 175 C
3.9 W, 200 W
Enhancement
AEC-Q101
Reel
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) AFSM T6 40V LL U8FL WF
NVTFS5C478NLWFTAG
onsemi
1:
₡1 056
Plazo de entrega no en existencias 47 Semanas
N.º de artículo de Mouser
863-NVTFS5C478NLWFTA
onsemi
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) AFSM T6 40V LL U8FL WF
Plazo de entrega no en existencias 47 Semanas
1
₡1 056
10
₡673
100
₡452
500
₡358
1 000
₡268
1 500
₡268
Comprar
Min.: 1
Mult.: 1
Detalles
Si
SMD/SMT
WDFN-8
N-Channel
1 Channel
40 V
26 A
11.5 mOhms
- 20 V, 20 V
1.2 V
8 nC
- 55 C
+ 175 C
20 W
Enhancement
AEC-Q101
Reel, Cut Tape, MouseReel
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) T6 60V HEFET
NVMFS5C604NLAFT3G
onsemi
5 000:
₡1 438
Plazo de entrega no en existencias 19 Semanas
NRND
N.º de artículo de Mouser
863-NVMFS5C604NLFT3G
NRND
onsemi
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) T6 60V HEFET
Plazo de entrega no en existencias 19 Semanas
Comprar
Min.: 5 000
Mult.: 5 000
Detalles
Si
SMD/SMT
SO-8FL
N-Channel
1 Channel
60 V
40 A, 287 A
930 uOhms
- 20 V, 20 V
1.2 V
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- 55 C
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3.9 W, 200 W
Enhancement
AEC-Q101
Reel