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NVMFWS0D45N04XMT1G

Name: onsemi NVMFWS0D45N04XMT1G
Brand: onsemi
SKU: 863-MFWS0D45N04XMT1G
Price: 1886.64 CRC
Availability: InStock

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Mouser N.º:

863-MFWS0D45N04XMT1G

Fabricante N.º:

NVMFWS0D45N04XMT1G

Fabricante:

onsemi

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Cantidad	Precio unitario	Precio ext.
	₡1 886,64	₡1 886,64
	₡1 301,13	₡13 011,30
	₡1 111,38	₡111 138,00
	₡1 100,54	₡550 270,00
Envase tipo carrete completo (pedir en múltiplos de 1500)
	₡1 051,75	₡1 577 625,00
	₡1 024,64	₡3 073 920,00

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Atributo del producto	Valor de atributo	Seleccionar atributo
Fabricante:	onsemi
Categoría de producto:	Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET)
RoHS:
Estilo de montaje:	SMD/SMT
Paquete / Cubierta:	DFNW-5
Polaridad del transistor:	N-Channel
Número de canales:	1 Channel
Vds - Tensión disruptiva entre drenaje y fuente:	40 V
Id - Corriente de drenaje continua:	469 A
Rds On - Resistencia entre drenaje y fuente:	450 uOhms
Vgs - Tensión entre puerta y fuente:	20 V
Vgs th - Tensión umbral entre puerta y fuente:	3.5 V
Qg - Carga de puerta:	115 nC
Temperatura de trabajo mínima:	- 55 C
Temperatura de trabajo máxima:	+ 175 C
Dp - Disipación de potencia :	180 W
Modo canal:	Enhancement
Empaquetado:	Reel
Empaquetado:	Cut Tape
Marca:	onsemi
Configuración:	Single
País de ensamblaje:	MY
País de difusión:	JP
País de origen:	MY
Tiempo de caída:	5 ns
Transconductancia hacia delante - Mín.:	278 S
Tipo de producto:	MOSFETs
Tiempo de subida:	17 ns
Cantidad de empaque de fábrica:	1500
Subcategoría:	Transistors
Tipo de transistor:	1 N-Channel
Tiempo de retardo de apagado típico:	46 ns
Tiempo típico de demora de encendido:	11 ns