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DI105N04PQ-AQ

Name: Diotec Semiconductor DI105N04PQ-AQ
Brand: Diotec Semiconductor
SKU: 637-DI105N04PQ-AQ
Price: 845.73 CRC
Availability: InStock

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Mouser N.º:

637-DI105N04PQ-AQ

Fabricante N.º:

DI105N04PQ-AQ

Fabricante:

Diotec Semiconductor

Descripción:

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) MOSFET, PowerQFN 5x6, 40V, 105A, 150C, N, AEC-Q101

Hoja de datos:

DI105N04PQ-AQ Hoja de datos (PDF)

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Precio (CRC)

Cantidad	Precio unitario	Precio ext.
	₡845,73	₡845,73
	₡547,56	₡5 475,60
	₡358,89	₡35 889,00
	₡285,71	₡142 855,00
	₡253,18	₡253 180,00
Envase tipo carrete completo (pedir en múltiplos de 5000)
	₡210,89	₡1 054 450,00
	₡206,55	₡2 065 500,00
	₡205,47	₡5 136 750,00

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Atributo del producto	Valor de atributo	Seleccionar atributo
Fabricante:	Diotec Semiconductor
Categoría de producto:	Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET)
RoHS:
Tecnología:	Si
Estilo de montaje:	SMD/SMT
Paquete / Cubierta:	QFN-8
Polaridad del transistor:	N-Channel
Número de canales:	1 Channel
Vds - Tensión disruptiva entre drenaje y fuente:	40 V
Id - Corriente de drenaje continua:	105 A
Rds On - Resistencia entre drenaje y fuente:	2.6 mOhms
Vgs - Tensión entre puerta y fuente:	- 20 V, 20 V
Vgs th - Tensión umbral entre puerta y fuente:	1.4 V
Qg - Carga de puerta:	23 nC
Temperatura de trabajo mínima:	- 55 C
Temperatura de trabajo máxima:	+ 150 C
Dp - Disipación de potencia :	83 W
Modo canal:	Enhancement
Calificación:	AEC-Q101
Empaquetado:	Reel
Empaquetado:	Cut Tape
Marca:	Diotec Semiconductor
Configuración:	Single
País de ensamblaje:	Not Available
País de difusión:	Not Available
País de origen:	CN
Tiempo de caída:	9.4 ns
Transconductancia hacia delante - Mín.:	116 S
Tipo de producto:	MOSFETs
Tiempo de subida:	8.3 ns
Serie:	DI100N
Cantidad de empaque de fábrica:	5000
Subcategoría:	Transistors
Tiempo de retardo de apagado típico:	28 ns
Tiempo típico de demora de encendido:	12 ns
Alias de las piezas n.º:	N-CHANNEL