GaN N-Channel FETs

Central Semiconductor GaN N-Channel FETs excel in high voltage and low RDS(ON), making them ideal for efficient soft-switching applications. Central Semiconductor GaN FETs come in 100V (60A), 150V (60A), 650V (11A), 650V (17A), and 700V (18A) versions. The devices are available in practical surface-mount, chip-scale packages, and bare dies. Ideally, these FETs are used in switch-mode power supplies, high-power chargers, and Electric Vehicle (EV) inverters.

Resultados: 7
Seleccionar Imagen N.° de pieza Fabricante: Descripción Hoja de datos Disponibilidad Precio: (CRC) Filtre los resultados en la tabla por precio unitario en función de su cantidad. Cantidad RoHS Modelo ECAD Estilo de montaje Paquete / Cubierta Polaridad del transistor Número de canales Vds - Tensión disruptiva entre drenaje y fuente Id - Corriente de drenaje continua Rds On - Resistencia entre drenaje y fuente Vgs - Tensión entre puerta y fuente Vgs th - Tensión umbral entre puerta y fuente Qg - Carga de puerta Temperatura de trabajo mínima Temperatura de trabajo máxima Dp - Disipación de potencia Modo canal Frecuencia de trabajo máxima Frecuencia de trabajo mínima Tecnología
Central Semiconductor GaN FETs 650V, 29A, N-Channel Chip, GaN FET, DFN5X6A Package, 13" 2 460En existencias
Cinta cortada
₡6 058,22
₡3 393,43
₡3 273,73
₡3 003,09
Envase tipo carrete
₡2 669,99
Min.: 1
Mult.: 1
: 2 500
SMD/SMT DFN-8 N-Channel 1 Channel 650 V 29 A 80 mOhms - 6 V, + 7 V 2.5 V 6.2 nC - 55 C + 150 C Depletion GaN
Central Semiconductor GaN FETs 100V, 60A, N-Channel Chip Scale GaNFET 1 359En existencias
Cinta cortada
₡3 554,78
₡1 889,29
₡1 727,95
₡1 618,65
₡1 321,98
Envase tipo carrete
₡1 316,78
Min.: 1
Mult.: 1
: 1 500
SMD/SMT CSP-8 N-Channel 1 Channel 100 V 60 A 5.5 mOhms - 4 V, + 6 V 2.5 V 9.2 nC - 40 C + 150 C 1.1 W GaN
Central Semiconductor GaN FETs 100A,150V Surface mount N-Channel GaN MOSFET 2 490En existencias
Cinta cortada
₡5 647,05
₡3 143,61
₡2 987,47
₡2 737,65
Envase tipo carrete
₡2 534,67
Min.: 1
Mult.: 1
: 2 500
SMD/SMT CSP-25 N-Channel 1 Channel 150 V 100 A 3.9 mOhms - 4 V, + 6 V 2.1 V 20 nC - 40 C + 150 C 200 mW Enhancement GaN
Central Semiconductor GaN FETs 150V, 60A, N-Channel Chip, GaN FET, CSP4X6 Package, 7" 2 463En existencias
Cinta cortada
₡4 439,57
₡2 414,96
₡2 217,18
₡2 175,55
₡1 904,90
Envase tipo carrete
₡1 774,79
Min.: 1
Mult.: 1
: 2 500
SMD/SMT CSP-25 N-Channel 1 Channel 150 V 60 A 7 mOhms - 4 V, + 6 V 13 nC - 40 C + 150 C 200 mW GaN
Central Semiconductor GaN FETs 700V, 18A, N-Channel Chip, GaN FET, DFN5X6A Package, 13" 2 458En existencias
Cinta cortada
₡3 778,58
₡2 024,61
₡1 852,86
₡1 759,17
₡1 613,44
Envase tipo carrete
₡1 431,28
Min.: 1
Mult.: 1
: 2 500
SMD/SMT DFN-8 N-Channel 1 Channel 700 V 18 A 140 mOhms - 6 V, + 7 V 2.5 V 3.5 nC - 55 C + 155 C 113 W Depletion GaN
Central Semiconductor GaN FETs 650V, 11A, N-Channel GaN FET 2 080En existencias
Cinta cortada
₡3 180,04
₡1 675,90
₡1 530,17
₡1 394,85
₡1 342,80
Envase tipo carrete
₡1 134,61
Min.: 1
Mult.: 1
: 2 500
SMD/SMT DFN-8 N-Channel 1 Channel 650 V 11.5 A 190 mOhms - 1.4 V, + 7 V 2.5 V 2.8 nC - 55 C + 150 C 84 W Depletion 100 kHz 0 Hz GaN
Central Semiconductor GaN FETs 650V, 17A, N-Channel GaN FET 2 428En existencias
Cinta cortada
₡3 606,83
₡1 920,52
₡1 759,17
₡1 649,88
₡1 514,55
Envase tipo carrete
₡1 342,80
Min.: 1
Mult.: 1
: 2 500
SMD/SMT DFN-8 N-Channel 1 Channel 650 V 17 A 140 mOhms - 1.4 V, + 7 V 2.5 V 3.5 nC - 55 C + 150 C 113 W Depletion 100 kHz 0 Hz GaN