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MAVR-011020-14110P

Name: MACOM MAVR-011020-14110P
Brand: MACOM
SKU: 937-MAVR01102014110P
Price: 2558 CRC
Availability: InStock

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Mouser N.º:

937-MAVR01102014110P

Fabricante N.º:

MAVR-011020-14110P

Fabricante:

MACOM

Descripción:

Diodos de varactor Ct Max .275pF -40C +125C

Hoja de datos:

MAVR-011020-14110P Hoja de datos (PDF)

Modelo ECAD:

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₡-

Precio ext.:

₡-

Est. Tarifa:

Empaque:

Envase tipo carrete completo (pedir en múltiplos de 3000)

Cinta cortada

MouseReel™ (+₡4 100)

Precio (CRC)

Cantidad	Precio unitario	Precio ext.
Cinta cortada / MouseReel™ ^†
	₡2 558	₡2 558
	₡1 786	₡17 860
	₡1 612	₡161 200
Envase tipo carrete completo (pedir en múltiplos de 3000)
	₡1 612	₡4 836 000
24 000	Presupuesto

† ₡4 100 Se agregará y calculará la tarifa de MouseReel™ en su carrito de compras. Ningún artículo de MouseReel™ se puede cancelar ni devolver. ↩

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Atributo del producto	Valor de atributo	Seleccionar atributo
Fabricante:	MACOM
Categoría de producto:	Diodos de varactor
RoHS:
Capacitancia:	0.275 pF
Vr - Tensión inversa:	18 V
If - Corriente directa:	1 mA
Estilo de montaje:	SMD/SMT
Estilo de terminación:	SMD/SMT
Paquete / Cubierta:	FlipChip
Temperatura de trabajo mínima:	- 40 C
Temperatura de trabajo máxima:	+ 125 C
Configuración:	Single
Empaquetado:	Reel
Empaquetado:	Cut Tape
Empaquetado:	MouseReel
Marca:	MACOM
País de ensamblaje:	Not Available
País de difusión:	Not Available
País de origen:	MY
Producto:	General Purpose Diodes
Tipo de producto:	Varactor Diodes
Cantidad de empaque de fábrica:	3000
Subcategoría:	Diodes & Rectifiers
Peso de la unidad:	31,400 mg

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PCN

Product Change Notification (PDF)

EU RoHS Directive Statement (PDF)

CNHTS:: 8541590000
CAHTS:: 8541100090
USHTS:: 8541100060
JPHTS:: 853669000
KRHTS:: 8541109000
TARIC:: 8541100000
MXHTS:: 85366999
BRHTS:: 85366990
ECCN:: EAR99

MAVR-011020-1411 Flip-Chip Varactor Diode

MACOM MAVR-011020-1411 Flip-Chip Varactor Diode is a gallium arsenide hyper abrupt device with constant Gamma for linear tuning. The MAVR-011020-1411 from MACOM is fabricated on OMCVD epitaxial wafers using a process designed for high device uniformity and extremely low parasitics. This diode is fully passivated with silicon nitride with an additional polyimide layer for scratch protection. The protective coatings prevent damage to the junction during automated or manual handling. The flip-chip configuration is suitable for pick and place insertion.