Parece que JavaScript está deshabilitado en su navegador. Si no inicia sesión, algunas funciones en esta página no funcionarán.

Volver a resultados de la búsqueda

¿Vé algún error?

M2TP80M12W2-2LA

Name: STMicroelectronics M2TP80M12W2-2LA
Brand: STMicroelectronics
SKU: 511-M2TP80M12W2-2LA
Price: 27423.32 CRC
Availability: InStock

Las imágenes son para referencia solamente
Ver especificaciones del producto

Mouser N.º:

511-M2TP80M12W2-2LA

Fabricante N.º:

M2TP80M12W2-2LA

Fabricante:

STMicroelectronics

Descripción:

Módulos MOSFET Automotive-grade ACEPACK DMT-32 power module, 3-phase four wire PFC topology, 1200 V, 84 mOhm typ. SiC Power MOSFET with rectifier diode and NTC

Complete su diseño

Ciclo de vida:

Nuevo producto:

Lo nuevo de este fabricante.

Hoja de datos:

M2TP80M12W2-2LA Hoja de datos (PDF)

Modelo ECAD:

Descargue Library Loader gratis para convertir este archivo para su herramienta ECAD. Conozca más sobre el modelo ECAD.

Más información

Conozca más sobre STMicroelectronics M2TP80M12W2-2LA

En existencias: 127

Existencias:: 127 Se puede enviar inmediatamente

Se ha producido un error inesperado. Vuelva a intentarlo más tarde.
Plazo de entrega de fábrica:: 24 Semanas Tiempo estimado de producción de fábrica para cantidades superiores a las que se muestran.

Introducir cantidad:

Mínimo: 1 Múltiples: 1

Precio unitario:

₡-,--

Precio ext.:

₡-,--

Est. Tarifa:

Precio (CRC)

Cantidad	Precio unitario	Precio ext.
	₡27 423,32	₡27 423,32
	₡20 844,64	₡229 291,04

.hidden-for-nojs { display: none; } .pull-right-nojs { justify-content: flex-end; }

Atributo del producto	Valor de atributo	Seleccionar atributo
Fabricante:	STMicroelectronics
Categoría de producto:	Módulos MOSFET
RoHS:
Estilo de montaje:	Press Fit
Número de canales:	6 Channel
Vds - Tensión disruptiva entre drenaje y fuente:	1.2 kV
Id - Corriente de drenaje continua:	30 A
Rds On - Resistencia entre drenaje y fuente:	114 mOhms
Vgs - Tensión entre puerta y fuente:	- 10 V, + 22 V
Vgs th - Tensión umbral entre puerta y fuente:	5 V
Temperatura de trabajo mínima:	- 40 C
Temperatura de trabajo máxima:	+ 175 C
Empaquetado:	Tube
Marca:	STMicroelectronics
Altura:	5.7 mm
Longitud:	44 mm
Producto:	Power Modules
Tipo de producto:	MOSFET Modules
Calificación:	AQG 324
Cantidad de empaque de fábrica:	11
Subcategoría:	Discrete and Power Modules
Vf - Tensión directa:	1.1 V
Ancho:	27.4 mm
Peso de la unidad:	13 g

Productos encontrados:

Para mostrar productos similares, seleccione al menos una casilla de verificación

Seleccione al menos una de las casillas de verificación anteriores para mostrar productos similares en esta categoría.

Atributos seleccionados: 0

Filtrar documento:

Hoja de datos

M2TP80M12W2-2LA Hoja de datos (PDF)

PCN

Product Change Notification 2025-9-17 (PDF)

Esta funcionalidad requiere que JavaScript esté habilitado.

Códigos de cumplimiento

CNHTS:: 8504409100
USHTS:: 8541290055
ECCN:: EAR99

Clasificaciones de origen

País de origen:: China
País de origen del ensamblaje:: No disponible
País de difusión:: No disponible

El país está sujeto a cambios en el momento del envío.

M2TP80M12W2-2LA Automotive Power Module

STMicroelectronics M2TP80M12W2-2LA Automotive Power Module offers a three-phase four-wire PFC topology with integrated NTC, tailored for the PFC stage of the OBC in hybrid and electric vehicles. The power module integrates six second-generation silicon carbide Power MOSFETs. The well-recognized chip technology allows the STMicroelectronics M2TP80M12W2-2LA to minimize energy losses and operate in a high switching frequency mode. The module lets users create complex topologies with very high power densities and high efficiency requirements.