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CGHV38375F

Name: MACOM CGHV38375F
Brand: MACOM
SKU: 941-CGHV38375F
Price: 669366 CRC
Availability: InStock

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Mouser N.º:

941-CGHV38375F

Fabricante N.º:

CGHV38375F

Fabricante:

MACOM

Descripción:

GaN FETs Amplifier, 375W, 2.7-3.8GHz, GaN, 50V

Hoja de datos:

CGHV38375F Hoja de datos (PDF)

Modelo ECAD:

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.hidden-for-nojs { display: none; } .pull-right-nojs { justify-content: flex-end; }

Atributo del producto	Valor de atributo	Seleccionar atributo
Fabricante:	MACOM
Categoría de producto:	GaN FETs
Restricciones de envío:	Este producto puede necesitar documentación adicional para ser exportado desde los Estados Unidos.
RoHS:
Estilo de montaje:	Screw Mount
Paquete / Cubierta:	440226
Polaridad del transistor:	N-Channel
Vds - Tensión disruptiva entre drenaje y fuente:	125 V
Id - Corriente de drenaje continua:	24 A
Temperatura de trabajo mínima:	- 40 C
Temperatura de trabajo máxima:	+ 125 C
Marca:	MACOM
Ganancia:	11 dB
Frecuencia de trabajo máxima:	3.75 GHz
Frecuencia de trabajo mínima:	2.75 GHz
Potencia de salida:	400 W
Empaquetado:	Tray
Tipo de producto:	GaN FETs
Cantidad de empaque de fábrica:	10
Subcategoría:	Transistors
Tecnología:	GaN
Tipo de transistor:	HEMT
Vds - Tensión disruptiva entre puerta y fuente:	- 10 V, 2 V

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CAHTS:: 8541290000
USHTS:: 8541290055
JPHTS:: 854129000
KRHTS:: 8541299000
TARIC:: 8541290000
MXHTS:: 8541299900

Transistor GaN en SiC IM de 400 W CGHV38375F

El transistor GaN en SiC internamente sincronizado (IM-FET) de 2.75 GHz a 3.75 GHz y 400 W CGHV38375F de Wolfspeed ofrece un HPA de 400 W ajustado con 50 ohmios en los puertos de entrada y salida. El CGHV38375F funciona con una cobertura de expansión de 2.75 GHz a 3.75 GHz en toda la banda de radares de banda S.