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AFGB30T65RQDN

Name: onsemi AFGB30T65RQDN
Brand: onsemi
SKU: 863-AFGB30T65RQDN
Price: 2488 CRC
Availability: InStock

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Mouser N.º:

863-AFGB30T65RQDN

Fabricante N.º:

AFGB30T65RQDN

Fabricante:

onsemi

Descripción:

IGBTs IGBT - 650V 30A -Short circuit rated FS4 - Automotive

Ciclo de vida:

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Cantidad	Precio unitario	Precio ext.
	₡2 488	₡2 488
	₡1 636	₡16 360
	₡1 224	₡122 400
	₡1 090	₡545 000
Envase tipo carrete completo (pedir en múltiplos de 800)
	₡963	₡770 400

.hidden-for-nojs { display: none; } .pull-right-nojs { justify-content: flex-end; }

Atributo del producto	Valor de atributo	Seleccionar atributo
Fabricante:	onsemi
Categoría de producto:	IGBTs
RoHS:
Tecnología:	Si
Paquete / Cubierta:	D2PAK-3
Estilo de montaje:	SMD/SMT
Configuración:	Single
Máx. voltaje VCEO colector-emisor:	650 V
Voltaje de saturación colector-emisor:	1.58 V
Máximo voltaje puerta-emisor:	20 V, 30 V
Colector de Corriente Continua a 25 C:	68 A
Dp - Disipación de potencia :	235.48 W
Temperatura de trabajo mínima:	- 55 C
Temperatura de trabajo máxima:	+ 175 C
Serie:	AFGB30T65RQDN
Empaquetado:	Reel
Empaquetado:	Cut Tape
Marca:	onsemi
Tipo de producto:	IGBTs
Cantidad de empaque de fábrica:	800
Subcategoría:	Transistors

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PCN

Product Change Notification 2025-12-15 (PDF)

Material Composition Disclosure

USHTS:: 8541290095
TARIC:: 8541290000
ECCN:: EAR99

AFGB30T65RQDN IGBT

onsemi AFGB30T65RQDN Insulated Gate Bipolar Transistor (IGBT) offers the optimum performance for automotive applications. This IGBT features high current capability, fast switching, high input impedance, and tightened parameter distribution. The AFGB30T65RQDN IGBT is short circuit rated and offers a high figure of merit with low conduction and switching losses. This IGBT is AEC-Q101 qualified, Pb-free, and RoHS compliant. Typical applications include the E-compressor for HEV/EV and the PTC Heater for HEV/EV.