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NTMFD5C672NLT1G

Name: onsemi NTMFD5C672NLT1G
Brand: onsemi
SKU: 863-NTMFD5C672NLT1G
Price: 869.18 CRC
Availability: OutOfStock

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Mouser N.º:

863-NTMFD5C672NLT1G

Fabricante N.º:

NTMFD5C672NLT1G

Fabricante:

onsemi

Descripción:

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) T6 60V LL S08FL DS

Hoja de datos:

NTMFD5C672NLT1G Hoja de datos

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Atributo del producto	Valor de atributo	Seleccionar atributo
Fabricante:	onsemi
Categoría de producto:	Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET)
RoHS:
REACH - SVHC:
Tecnología:	Si
Estilo de montaje:	SMD/SMT
Paquete / Cubierta:	SO-8FL-4
Polaridad del transistor:	N-Channel
Número de canales:	2 Channel
Vds - Tensión disruptiva entre drenaje y fuente:	60 V
Id - Corriente de drenaje continua:	49 A
Rds On - Resistencia entre drenaje y fuente:	11.9 mOhms
Vgs - Tensión entre puerta y fuente:	- 20 V, 20 V
Vgs th - Tensión umbral entre puerta y fuente:	2.2 V
Qg - Carga de puerta:	12.3 nC
Temperatura de trabajo mínima:	- 55 C
Temperatura de trabajo máxima:	+ 175 C
Dp - Disipación de potencia :	3.1 W
Modo canal:	Enhancement
Empaquetado:	Reel
Empaquetado:	Cut Tape
Marca:	onsemi
Configuración:	Dual
Tiempo de caída:	28 ns
Transconductancia hacia delante - Mín.:	27.5 S
Tipo de producto:	MOSFETs
Tiempo de subida:	30 ns
Serie:	NTMFD5C672NL
Cantidad de empaque de fábrica:	1500
Subcategoría:	Transistors
Tipo de transistor:	2 N-Channel
Tiempo de retardo de apagado típico:	22 ns
Tiempo típico de demora de encendido:	11 ns

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Hoja de datos

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PCN

Material Composition Disclosure

Códigos de cumplimiento

CNHTS:: 8541290000
USHTS:: 8541290065
TARIC:: 8541290000
ECCN:: EAR99

Clasificaciones de origen

País de origen:: Japón
País de origen del ensamblaje:: Malasia
País de difusión:: Japón

El país está sujeto a cambios en el momento del envío.

NTMFD5C672NL Dual N-Channel Power MOSFET

onsemi NTMFD5C672NL Dual N-Channel Power MOSFET is designed for compact and efficient designs including high thermal performance. This MOSFET features low R_DS(on), low QG and capacitance, 60V drain to source voltage, 146A pulsed drain current, and -55°C to 175°C operating junction temperature range. The NTMFD5C672NL dual N-channel power MOSFET is Pb, Halogen/BFR free, and RoHS compliant. Typical applications include motor control, power switches (High-side driver, low-side driver, and H-bridges), synchronous DC to DC regulator, and battery management and protection.

PRODUCTOS DESTACADOS

ONSEMI

NVNJWS1K6N061L N-Channel MOSFET

Features low R_DS(on) and low gate threshold with integrated ESD protection.

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NVBYST0D8N08X Single N-Channel Power MOSFET

Optimized for high‑voltage operation and withstands fast switching and high-current stresses.

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NTMFD0D9N02P1E MOSFET

Dual N-channel MOSFET designed with low R_g for fast switching applications.

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NVMFD5873NL Dual N-Channel Power MOSFETs

Designed for compact and efficient designs, including high thermal performance.

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NVBYST0D6N08X 80V N-Channel Power MOSFET

This device offers a low Q_RR and soft recovery body diode in a TCPAK1012 (TopCool) package.

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	₡349,23	₡34 923,00
	₡281,05	₡140 525,00
	₡212,35	₡212 350,00
Envase tipo carrete completo (pedir en múltiplos de 1500)
	₡212,35	₡318 525,00

NTMFD5C672NLT1G

Fabricante: onsemi

Descripción: Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) T6 60V LL S08FL DS

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