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SISD5300DN-T1-GE3

Name: Vishay SISD5300DN-T1-GE3
Brand: Vishay / Siliconix
SKU: 78-SISD5300DN-T1-GE3
Price: 1392 CRC
Availability: InStock

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Mouser N.º:

78-SISD5300DN-T1-GE3

Fabricante N.º:

SISD5300DN-T1-GE3

Fabricante:

Vishay / Siliconix

Descripción:

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) PPAK1212 N-CH 30V 62A

Hoja de datos:

SISD5300DN-T1-GE3 Hoja de datos

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	₡615	₡61 500
	₡488	₡244 000
	₡472	₡472 000
Envase tipo carrete completo (pedir en múltiplos de 3000)
	₡390	₡1 170 000

.hidden-for-nojs { display: none; } .pull-right-nojs { justify-content: flex-end; }

Atributo del producto	Valor de atributo	Seleccionar atributo
Fabricante:	Vishay
Categoría de producto:	Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET)
RoHS:
REACH - SVHC:
Tecnología:	Si
Estilo de montaje:	SMD/SMT
Paquete / Cubierta:	PowerPAK 1212-F-8
Polaridad del transistor:	N-Channel
Número de canales:	1 Channel
Vds - Tensión disruptiva entre drenaje y fuente:	30 V
Id - Corriente de drenaje continua:	198 A
Rds On - Resistencia entre drenaje y fuente:	870 uOhms
Vgs - Tensión entre puerta y fuente:	- 12 V, 16 V
Vgs th - Tensión umbral entre puerta y fuente:	2 V
Qg - Carga de puerta:	27 nC
Temperatura de trabajo mínima:	- 55 C
Temperatura de trabajo máxima:	+ 150 C
Dp - Disipación de potencia :	57 W
Modo canal:	Enhancement
Empaquetado:	Reel
Empaquetado:	Cut Tape
Marca:	Vishay / Siliconix
Configuración:	Single
Tiempo de caída:	15 ns
Transconductancia hacia delante - Mín.:	162 S
Tipo de producto:	MOSFETs
Tiempo de subida:	90 ns
Serie:	SISD
Cantidad de empaque de fábrica:	3000
Subcategoría:	Transistors
Tiempo de retardo de apagado típico:	32 ns
Tiempo típico de demora de encendido:	26 ns

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TARIC:: 8541290000
CAHTS:: 8541290000
USHTS:: 8541290065
JPHTS:: 854129000
MXHTS:: 8541299900
ECCN:: EAR99

SiSD5300DN 30V N-Channel MOSFET

Vishay / Siliconix SiSD5300DN 30V N-Channel MOSFET is a TrenchFET® Gen V power MOSFET utilizing source flip technology that enhances thermal performance. Operating within a -55°C to +150°C junction temperature range, SiSD5300DN features a very low drain-source resistance and gate charge figure of merit (FOM). Applications include DC/DC converters, synchronous rectification, battery management, O-rings, and load switches.

POWERPAK® 1212 MOSFETs

Vishay POWERPAK® 1212 MOSFETs are ideal for switching applications and boast a die-on resistance of approximately 1mΩ and can handle up to 85A. The Vishay POWERPAK 1212 introduces a packaging technology to mitigate the risk of degrading high-performance dies. This package offers ultra-low thermal impedance in a compact design, making it ideal for space-constrained applications.