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MMFTP6312D

Name: Diotec Semiconductor MMFTP6312D
Brand: Diotec Semiconductor
SKU: 637-MMFTP6312D
Price: 216.85 CRC
Availability: InStock

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Mouser N.º:

637-MMFTP6312D

Fabricante N.º:

MMFTP6312D

Fabricante:

Diotec Semiconductor

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Cantidad	Precio unitario	Precio ext.
	₡216,85	₡216,85
	₡133,37	₡1 333,70
	₡84,03	₡8 403,00
	₡62,89	₡31 445,00
	₡55,84	₡55 840,00
Envase tipo carrete completo (pedir en múltiplos de 3000)
	₡42,29	₡126 870,00
	₡35,78	₡322 020,00
	₡34,15	₡819 600,00
	₡33,07	₡1 488 150,00

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Atributo del producto	Valor de atributo	Seleccionar atributo
Fabricante:	Diotec Semiconductor
Categoría de producto:	Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET)
RoHS:
REACH - SVHC:
Tecnología:	Si
Estilo de montaje:	SMD/SMT
Paquete / Cubierta:	SOT-26-6
Polaridad del transistor:	P-Channel
Número de canales:	2 Channel
Vds - Tensión disruptiva entre drenaje y fuente:	20 V
Id - Corriente de drenaje continua:	2.3 A
Rds On - Resistencia entre drenaje y fuente:	115 mOhms
Vgs - Tensión entre puerta y fuente:	- 8 V, 8 V
Vgs th - Tensión umbral entre puerta y fuente:	1.5 V
Qg - Carga de puerta:	4.4 nC
Temperatura de trabajo mínima:	- 55 C
Temperatura de trabajo máxima:	+ 150 C
Dp - Disipación de potencia :	960 mW
Modo canal:	Enhancement
Empaquetado:	Reel
Empaquetado:	Cut Tape
Marca:	Diotec Semiconductor
Configuración:	Dual
País de ensamblaje:	Not Available
País de difusión:	Not Available
País de origen:	CN
Tiempo de caída:	8 ns
Tipo de producto:	MOSFETs
Tiempo de subida:	13 ns
Serie:	MMFTN/P
Cantidad de empaque de fábrica:	3000
Subcategoría:	Transistors
Tiempo de retardo de apagado típico:	18 ns
Tiempo típico de demora de encendido:	8 ns