Trench 9 Superjunction MOSFETs

Nexperia Trench 9 Superjunction MOSFETs combine low voltage superjunction technology with advanced packaging design to deliver high performance and ruggedness. Trench 9 MOSFETs are all qualified to AEC-Q101, and exceed the requirements of this international automotive standard by as much as two times on key reliability tests, including Temperature Cycling (TC), High-Temperature Gate Bias (HTGB), High-Temperature Reverse Bias (HTRB), and Intermittent Operating Life (IOL).

Resultados: 17
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 Fabricante:
Descripción Hoja de datos Disponibilidad Precio: (CRC) Filtre los resultados en la tabla por precio unitario en función de su cantidad.
Cantidad RoHS Modelo ECAD Tecnología
Estilo de montaje
Paquete / Cubierta
Polaridad del transistor
Número de canales
Vds - Tensión disruptiva entre drenaje y fuente
Id - Corriente de drenaje continua
Rds On - Resistencia entre drenaje y fuente
Vgs - Tensión entre puerta y fuente
Vgs th - Tensión umbral entre puerta y fuente
Qg - Carga de puerta
Temperatura de trabajo mínima
Temperatura de trabajo máxima
Dp - Disipación de potencia
Modo canal
Nombre comercial
Empaquetado
Nexperia Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) SOT1023 N-CH 40V 190A
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21 350En existencias
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Si SMD/SMT LFPAK-56E-4 N-Channel 1 Channel 40 V 120 A 740 uOhms - 20 V, 20 V 2.4 V 126 nC - 55 C + 175 C 395 W Enhancement Trench 9 Reel, Cut Tape, MouseReel
Nexperia Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) SOT669 N-CH 40V 190A
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6 467En existencias
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Si SMD/SMT LFPAK-56-5 N-Channel 1 Channel 40 V 190 A 1.4 mOhms - 20 V, 20 V 2.4 V 103 nC - 55 C + 175 C 395 W Enhancement Reel, Cut Tape, MouseReel
Nexperia Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) SOT669 N-CH 40V 120A
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2 980En existencias
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Si SMD/SMT LFPAK-56-5 N-Channel 1 Channel 40 V 120 A 1.07 mOhms - 20 V, 20 V 2.4 V 90.5 nC - 55 C + 175 C 217 W Enhancement Trench 9 Reel, Cut Tape, MouseReel
Nexperia Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) SOT669 N-CH 40V 120A
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5 988En existencias
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Si SMD/SMT SOT-669-5 N-Channel 1 Channel 40 V 120 A 3.5 mOhms - 20 V, 20 V 2.4 V 53 nC - 55 C + 175 C 115 W Enhancement Reel, Cut Tape, MouseReel
Nexperia Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) SOT669 N-CH 40V 190A
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1 278En existencias
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Si SMD/SMT LFPAK-56-5 N-Channel 1 Channel 40 V 190 A 1.3 mOhms - 10 V, 16 V 2.05 V 99 nC - 55 C + 175 C 395 W Enhancement Reel, Cut Tape, MouseReel
Nexperia Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) SOT669 N-CH 40V 120A
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1 500En existencias
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: 1 500

Si SMD/SMT LFPAK-56-5 N-Channel 1 Channel 40 V 120 A 2.8 mOhms - 10 V, 16 V 2.05 V 4.7 nC - 55 C + 175 C 172 W Enhancement Reel
Nexperia Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) SOT669 N-CH 40V 120A
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1 440En existencias
1 500Se espera el 29/6/2026
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Si SMD/SMT LFPAK-56-5 N-Channel 1 Channel 40 V 120 A 950 uOhms - 20 V, 20 V 2.4 V 96 nC - 55 C + 175 C 294 W Enhancement Trench 9 Reel, Cut Tape, MouseReel
Nexperia Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) SOT669 N-CH 40V 68A
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2 201En existencias
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Si SMD/SMT LFPAK-56-4 N-Channel 1 Channel 40 V 68 A 7 mOhms - 20 V, 20 V 3.6 V 26 nC - 55 C + 175 C 64 W Enhancement Reel, Cut Tape, MouseReel
Nexperia Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) The factory is currently not accepting orders for this product.
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263En existencias
1 500Se espera el 28/9/2026
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Si SMD/SMT LFPAK-56D-8 N-Channel 2 Channel 40 V 42 A 13.6 mOhms - 20 V, 20 V 2.2 V 13 nC - 55 C + 175 C 46 W Enhancement Reel, Cut Tape, MouseReel
Nexperia Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) SOT1023 N-CH 40V 220A
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2 990Se espera el 5/2/2027
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Si SMD/SMT LFPAK-56E-4 N-Channel 1 Channel 40 V 220 A 1 mOhms - 20 V, 20 V 2.4 V 131 nC - 55 C + 175 C 500 W Enhancement Reel, Cut Tape, MouseReel
Nexperia Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) SOT669 N-CH 40V 120A
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1 500Se espera el 4/1/2027
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Si SMD/SMT LFPAK-56-5 N-Channel 1 Channel 40 V 120 A 1.5 mOhms - 20 V, 20 V 2.4 V 79 nC - 55 C + 175 C 190 W Enhancement Trench 9 Reel, Cut Tape, MouseReel
Nexperia Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) SOT669 N-CH 40V 120A
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3 000Se espera el 28/9/2026
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Min.: 1
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: 1 500

Si SMD/SMT SOT-669-5 N-Channel 1 Channel 40 V 120 A 1.8 mOhms - 20 V, 20 V 2.4 V 59 nC - 55 C + 175 C 172 W Enhancement Trench 9 Reel, Cut Tape, MouseReel
Nexperia Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) SOT669 N-CH 40V 70A
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1 500Se espera el 8/1/2027
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Si SMD/SMT SOT-669-5 N-Channel 1 Channel 40 V 70 A 6.5 mOhms - 20 V, 20 V 2.15 V 21 nC - 55 C + 175 C 64 W Enhancement Reel, Cut Tape, MouseReel
Nexperia Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) SOT1023 N-CH 40V 220A
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Plazo de entrega no en existencias 16 Semanas
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Si SMD/SMT LFPAK-56E-4 N-Channel 1 Channel 40 V 220 A 940 uOhms - 16 V, 16 V 1.35 V 168 nC - 55 C + 175 C 500 W Enhancement Reel
Nexperia Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) SOT669 N-CH 40V 120A
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Plazo de entrega no en existencias 16 Semanas
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Si LFPAK-56-5 Reel
Nexperia Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) SOT669 N-CH 40V 120A
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Plazo de entrega no en existencias 16 Semanas
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Si LFPAK-56-5 Reel
Nexperia Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) SOT669 N-CH 40V 120A
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Plazo de entrega no en existencias 16 Semanas
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Si LFPAK-56-5 Reel