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SIA427DJ-T1-GE3

Name: Vishay SIA427DJ-T1-GE3
Brand: Vishay Semiconductors
SKU: 781-SIA427DJ-T1-GE3
Price: 626.4 CRC
Availability: InStock

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Mouser N.º:

781-SIA427DJ-T1-GE3

Fabricante N.º:

SIA427DJ-T1-GE3

Fabricante:

Vishay Semiconductors

Descripción:

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 8V 12A 19W 13mohms @ 4.5V

Hoja de datos:

SIA427DJ-T1-GE3 Hoja de datos (PDF)

Modelo ECAD:

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₡-,--

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₡-,--

Est. Tarifa:

Empaque:

Envase tipo carrete completo (pedir en múltiplos de 3000)

Cinta cortada

MouseReel™ (+₡4 100,00)

Precio (CRC)

Cantidad	Precio unitario	Precio ext.
Cinta cortada / MouseReel™ ^†
	₡626,40	₡626,40
	₡447,76	₡4 477,60
	₡278,40	₡27 840,00
	₡191,98	₡95 990,00
	₡170,52	₡170 520,00
Envase tipo carrete completo (pedir en múltiplos de 3000)
	₡145,00	₡435 000,00
	₡124,12	₡744 720,00
	₡115,42	₡1 038 780,00
	₡103,82	₡2 491 680,00

† ₡4 100,00 Se agregará y calculará la tarifa de MouseReel™ en su carrito de compras. Ningún artículo de MouseReel™ se puede cancelar ni devolver. ↩

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Atributo del producto	Valor de atributo	Seleccionar atributo
Fabricante:	Vishay
Categoría de producto:	Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET)
RoHS:
Tecnología:	Si
Estilo de montaje:	SMD/SMT
Paquete / Cubierta:	SC-70-6
Polaridad del transistor:	P-Channel
Número de canales:	1 Channel
Vds - Tensión disruptiva entre drenaje y fuente:	8 V
Id - Corriente de drenaje continua:	12 A
Rds On - Resistencia entre drenaje y fuente:	95 mOhms
Vgs - Tensión entre puerta y fuente:	- 5 V, 5 V
Vgs th - Tensión umbral entre puerta y fuente:	800 mV
Qg - Carga de puerta:	50 nC
Temperatura de trabajo mínima:	- 55 C
Temperatura de trabajo máxima:	+ 150 C
Dp - Disipación de potencia :	19 W
Modo canal:	Enhancement
Nombre comercial:	TrenchFET
Empaquetado:	Reel
Empaquetado:	Cut Tape
Empaquetado:	MouseReel
Marca:	Vishay Semiconductors
Configuración:	Single
País de ensamblaje:	Not Available
País de difusión:	Not Available
País de origen:	CN
Tipo de producto:	MOSFETs
Serie:	SIA
Cantidad de empaque de fábrica:	3000
Subcategoría:	Transistors
Alias de las piezas n.º:	SIA427DJ-GE3
Peso de la unidad:	11,688 g

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Hoja de datos

SIA427DJ-T1-GE3 Hoja de datos (PDF)

PCN

REACH Certificate (PDF)

CNHTS:: 8541290000
TARIC:: 8541290000
CAHTS:: 8541290000
USHTS:: 8541290065
JPHTS:: 8541290100
KRHTS:: 8541299000
MXHTS:: 85412999
ECCN:: EAR99

SiA427DJ 8V TrenchFET® Power MOSFETs

Vishay Semiconductors SiA427DJ 8V TrenchFET^® Power MOSFETs have the lowest on-resistance for a p-channel device in the thermally enhanced PowerPAK® SC-70 2mm by 2mm footprint area. The on-resistance of the SiA427DJ is up to 47% lower than the closest competing p-channel device. The 1.2V low on-resistance rating of SiA427DJ TrenchFET power MOSFETs makes them ideal for low bus voltages.