NXH008T120M3F2PTHG

onsemi
863-H008T120M3F2PTHG
NXH008T120M3F2PTHG

Fabricante:

Descripción:
Módulos MOSFET 8M 1200V 40A M3S SIC TNPC MODULE

Hoja de datos:
Modelo ECAD:
Descargue Library Loader gratis para convertir este archivo para su herramienta ECAD. Conozca más sobre el modelo ECAD.
Más información
Conozca más sobre onsemi NXH008T120M3F2PTHG

Atributo del producto Valor de atributo Seleccionar atributo
onsemi
Categoría de producto: Módulos MOSFET
RoHS:  
SiC
Press Fit
PIM-29
1.2 kV
129 A
8.5 mOhms
- 10 V, + 22 V
1.8 V
- 40 C
+ 150 C
371 W
NXH008T120M3F2PTHG
Tray
Marca: onsemi
Tiempo de caída: 15 ns
Tipo de producto: MOSFET Modules
Tiempo de subida: 20.6 ns
Cantidad de empaque de fábrica: 20
Subcategoría: Discrete and Power Modules
Nombre comercial: EliteSiC
Tiempo de retardo de apagado típico: 137 ns
Tiempo típico de demora de encendido: 41.5 ns
Vf - Tensión directa: 4.8 V
Productos encontrados:
Para mostrar productos similares, seleccione al menos una casilla de verificación
Seleccione al menos una de las casillas de verificación anteriores para mostrar productos similares en esta categoría.
Atributos seleccionados: 0

Hoja de datos

Códigos de cumplimiento
CNHTS:
8504409100
CAHTS:
8541290000
USHTS:
8541290065
JPHTS:
854129000
TARIC:
8541290000
MXHTS:
8541299900
ECCN:
EAR99
Clasificaciones de origen
País de origen:
China
País de origen del ensamblaje:
China
El país está sujeto a cambios en el momento del envío.

M3S EliteSiC MOSFETs

onsemi M3S EliteSiC MOSFETs are solutions for high-frequency switching applications that employ hard-switched topologies. The onsemi M3S MOSFETs are designed to optimize performance and efficiency. The device has a remarkable ~40% reduction in total switching losses (Etot) compared to the 1200V 20mΩ M1 counterparts. The M3S EliteSiC MOSFETs are perfectly suited for various applications, including solar power systems, onboard chargers, and electric vehicle (EV) charging stations.

NXH008T120M3F2PTHG Silicone Carbide (SiC) Module

onsemi NXH008T120M3F2PTHG Silicone Carbide (SiC) Module is a T-type neutral point clamped converter (TNPC) module based on 1200V M3S Planer SiC MOSFETs.  NXH008T120M3F2PTHG is optimized for fast-switching applications. Planar technology works reliably with negative gate voltage drive and turn-off spikes on the gate. This module exhibits optimum performance when driven with a 20V gate drive but also works well with an 18V gate drive.

Energy Storage Solutions

onsemi Energy Storage Systems (ESS) store electricity from various power sources, like coal, nuclear, wind, and solar, in different forms, including batteries (electrochemical), compressed air (mechanical), and molten salt (thermal). This solution focuses on battery energy storage systems connected to solar inverter systems.

En existencias: 19

Existencias:
19
Se puede enviar inmediatamente
En pedido:
20
Se espera el 24/8/2026
40
A determinar
Plazo de entrega de fábrica:
47
Semanas Tiempo estimado de producción de fábrica para cantidades superiores a las que se muestran.
Se establece un tiempo de entrega prolongado para este producto.
Mínimo: 1   Múltiples: 1
Precio unitario:
₡-,--
Precio ext.:
₡-,--
Est. Tarifa:

Precio (CRC)

Cantidad Precio unitario
Precio ext.
₡90 587,00 ₡90 587,00
₡78 689,16 ₡786 891,60

Se ha producido un error inesperado.


¿Tiene alguna pregunta? Visite el Centro de ayuda.
Si tiene preguntas sobre un pedido específico, inicie sesión en su cuenta.

Si tiene más problemas, comuníquese con nosotros al 800-346-6873 o envíe un correo electrónico a help@mouser.com.