Parece que JavaScript está deshabilitado en su navegador. Si no inicia sesión, algunas funciones en esta página no funcionarán.

¿Vé algún error?

FDMS86105

Name: onsemi FDMS86105
Brand: onsemi
SKU: 512-FDMS86105
Price: 1561.4 CRC
Availability: InStock

Las imágenes son para referencia solamente
Ver especificaciones del producto

Mouser N.º:

512-FDMS86105

Fabricante N.º:

FDMS86105

Fabricante:

onsemi

Descripción:

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 100V N-Channel PowerTrench MOSFET

Hoja de datos:

FDMS86105 Hoja de datos (PDF)

Modelo ECAD:

Descargue Library Loader gratis para convertir este archivo para su herramienta ECAD. Conozca más sobre el modelo ECAD.

Más información

Conozca más sobre onsemi FDMS86105

.hidden-for-nojs { display: none; } .pull-right-nojs { justify-content: flex-end; }

Atributo del producto	Valor de atributo	Seleccionar atributo
Fabricante:	onsemi
Categoría de producto:	Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET)
RoHS:
REACH - SVHC:
Tecnología:	Si
Estilo de montaje:	SMD/SMT
Paquete / Cubierta:	Power-56-8
Polaridad del transistor:	N-Channel
Número de canales:	1 Channel
Vds - Tensión disruptiva entre drenaje y fuente:	100 V
Id - Corriente de drenaje continua:	6 A
Rds On - Resistencia entre drenaje y fuente:	34 mOhms
Vgs - Tensión entre puerta y fuente:	- 20 V, 20 V
Vgs th - Tensión umbral entre puerta y fuente:	2 V
Qg - Carga de puerta:	11 nC
Temperatura de trabajo mínima:	- 55 C
Temperatura de trabajo máxima:	+ 150 C
Dp - Disipación de potencia :	48 W
Modo canal:	Enhancement
Nombre comercial:	PowerTrench
Empaquetado:	Reel
Empaquetado:	Cut Tape
Empaquetado:	MouseReel
Marca:	onsemi
Configuración:	Single
Transconductancia hacia delante - Mín.:	15 S
Tipo de producto:	MOSFETs
Serie:	FDMS86105
Cantidad de empaque de fábrica:	3000
Subcategoría:	Transistors
Tipo de transistor:	1 N-Channel
Peso de la unidad:	68,100 mg

Productos encontrados:

Para mostrar productos similares, seleccione al menos una casilla de verificación

Seleccione al menos una de las casillas de verificación anteriores para mostrar productos similares en esta categoría.

Atributos seleccionados: 0

Filtrar documento:

Hoja de datos

FDMS86105 Hoja de datos (PDF)

PCN

Códigos de cumplimiento

CNHTS:: 8541290000
CAHTS:: 8541290000
USHTS:: 8541290065
JPHTS:: 8541290100
KRHTS:: 8541299000
TARIC:: 8541290000
ECCN:: EAR99

Clasificaciones de origen

País de origen:: China
País de origen del ensamblaje:: China
País de difusión:: República de Corea

El país está sujeto a cambios en el momento del envío.

PowerTrench® MOSFETs

onsemi PowerTrench^® MOSFETs offer a broad portfolio of MOSFETs in the industry. These onsemi MOSFETs offer N-Channel and P-Channel versions optimized for low R_DS(ON) switching performance and ruggedness. Typical applications include load switches, primary switching, mobile computing, DC-DC converters, and synchronous rectifiers.

FDMS86105 N-Channel PowerTrench® MOSFETs

onsemi FDMS86105 N-Channel PowerTrench® MOSFETs are designed to minimize on-state resistance while maintaining superior switching performance. These 100V, 26A, 34mΩ onsemi MOSFETs feature MSL 1 robust package design. onsemi FDMS86105 PowerTrench MOSFETs are designed for use in primary DC-DC, secondary DC-DC, and load switch applications.

PRODUCTOS DESTACADOS

ONSEMI

NVNJWS1K6N061L N-Channel MOSFET

Features low R_DS(on) and low gate threshold with integrated ESD protection.

Obtenga más información

NVBYST0D8N08X Single N-Channel Power MOSFET

Optimized for high‑voltage operation and withstands fast switching and high-current stresses.

Obtenga más información

NTMFD0D9N02P1E MOSFET

Dual N-channel MOSFET designed with low R_g for fast switching applications.

Obtenga más información

NVMFD5873NL Dual N-Channel Power MOSFETs

Designed for compact and efficient designs, including high thermal performance.

Obtenga más información

NVBYST0D6N08X 80V N-Channel Power MOSFET

This device offers a low Q_RR and soft recovery body diode in a TCPAK1012 (TopCool) package.

Obtenga más información

En existencias: 553

Existencias:: 553

Se puede enviar inmediatamente

Se ha producido un error inesperado. Vuelva a intentarlo más tarde.
En pedido:: 3 000

Se espera el 22/12/2026

3 000

Se espera el 19/3/2027
Plazo de entrega de fábrica:: 52

Semanas Tiempo estimado de producción de fábrica para cantidades superiores a las que se muestran.

Se establece un tiempo de entrega prolongado para este producto.

Introducir cantidad:

Mínimo: 1 Múltiples: 1 Máxima: 510

Precio unitario:

₡-,--

Precio ext.:

₡-,--

Est. Tarifa:

Empaque:

Envase tipo carrete completo (pedir en múltiplos de 3000)

Cinta cortada

MouseReel™ (+₡4 100,00)

Precio (CRC)

Cantidad	Precio unitario	Precio ext.
Cinta cortada / MouseReel™ ^†
	₡1 561,40	₡1 561,40
	₡1 009,70	₡10 097,00
	₡697,42	₡69 742,00
	₡556,90	₡278 450,00
Envase tipo carrete completo (pedir en múltiplos de 3000)
	₡556,90	₡1 670 700,00

† ₡4 100,00 Se agregará y calculará la tarifa de MouseReel™ en su carrito de compras. Ningún artículo de MouseReel™ se puede cancelar ni devolver. ↩

FDMS86105

Fabricante: onsemi

Descripción: Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 100V N-Channel PowerTrench MOSFET

Especificaciones

Documentos (4)

Hoja de datos

PCN

Documentos ambientales

Cumplimiento de productos y comercio

Más información

PowerTrench® MOSFETs

FDMS86105 N-Channel PowerTrench® MOSFETs

Los clientes también compraron

PRODUCTOS DESTACADOS ONSEMI

En existencias: 553

Precio (CRC)

QuickView

Se ha producido un error inesperado.

Fabricante:

onsemi

Descripción:

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 100V N-Channel PowerTrench MOSFET

PRODUCTOS DESTACADOS

ONSEMI