EPC2302

Name: EPC EPC2302
Brand: EPC
SKU: 65-EPC2302
Price: 4582 CRC
Availability: OutOfStock

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Mouser N.º:

65-EPC2302

Fabricante N.º:

EPC2302

Fabricante:

EPC

Descripción:

GaN FETs EPC eGaN FET,100 V, 1.8 milliohm at 5 V, 3 mm x 5 mm QFN

Ciclo de vida:

Nuevo en Mouser

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	₡4 582,00	₡4 582,00
	₡3 166,80	₡31 668,00
	₡2 441,80	₡244 180,00
	₡2 296,80	₡2 296 800,00
Envase tipo carrete completo (pedir en múltiplos de 3000)
	₡2 128,60	₡6 385 800,00

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Atributo del producto	Valor de atributo	Seleccionar atributo
Fabricante:	EPC
Categoría de producto:	GaN FETs
RoHS:
Estilo de montaje:	SMD/SMT
Paquete / Cubierta:	QFN-7
Polaridad del transistor:	N-Channel
Número de canales:	1 Channel
Vds - Tensión disruptiva entre drenaje y fuente:	100 V
Id - Corriente de drenaje continua:	133 A
Rds On - Resistencia entre drenaje y fuente:	1.8 mOhms
Vgs - Tensión entre puerta y fuente:	6 V, - 4 V
Vgs th - Tensión umbral entre puerta y fuente:	2.5 V
Qg - Carga de puerta:	23 nC
Temperatura de trabajo mínima:	- 40 C
Temperatura de trabajo máxima:	+ 150 C
Modo canal:	Enhancement
Nombre comercial:	eGaN FET
Marca:	EPC
Configuración:	Single
País de ensamblaje:	Not Available
País de difusión:	Not Available
País de origen:	Not Available
Sensibles a la humedad:	Yes
Empaquetado:	Reel
Empaquetado:	Cut Tape
Producto:	Power Transistor
Tipo de producto:	GaN FETs
Cantidad de empaque de fábrica:	3000
Subcategoría:	Transistors
Tecnología:	GaN
Tipo de transistor:	1 N-Channel
Peso de la unidad:	31,300 mg

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EPC2302

Fabricante: EPC

Descripción: GaN FETs EPC eGaN FET,100 V, 1.8 milliohm at 5 V, 3 mm x 5 mm QFN

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GaN FETs EPC eGaN FET,100 V, 1.8 milliohm at 5 V, 3 mm x 5 mm QFN