BUKx Automotive MOSFETs

Nexperia BUKx Automotive MOSFETs are logic-level N-channel MOSFETs featuring TrenchMOS technology. Designed and qualified to meet AEC-Q101 standards, the Nexperia BUKx MOSFETs are ideal for demanding automotive applications, including 12V systems, motor control, and start-stop micro-hybrid systems. The MOSFETs offer excellent thermal performance with a maximum operating temperature of +175°C, making the devices suitable for thermally challenging environments.

Resultados: 89
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 Fabricante:
Descripción Hoja de datos Disponibilidad Precio: (CRC) Filtre los resultados en la tabla por precio unitario en función de su cantidad.
Cantidad RoHS Modelo ECAD Tecnología
Estilo de montaje
Paquete / Cubierta
Polaridad del transistor
Número de canales
Vds - Tensión disruptiva entre drenaje y fuente
Id - Corriente de drenaje continua
Rds On - Resistencia entre drenaje y fuente
Vgs - Tensión entre puerta y fuente
Vgs th - Tensión umbral entre puerta y fuente
Qg - Carga de puerta
Temperatura de trabajo mínima
Temperatura de trabajo máxima
Dp - Disipación de potencia
Modo canal
Empaquetado
Nexperia Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) BUK9Y113-100E/SOT669/LFPAK
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86 539En existencias
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: 1 500

Si SMD/SMT SOT-669-5 N-Channel 1 Channel 100 V 12 A 97 mOhms - 15 V, 15 V 1.7 V 8.4 nC - 55 C + 175 C 45 W Enhancement Reel, Cut Tape, MouseReel
Nexperia Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) BUK9637-100E/SOT404/D2PAK
Hoja de datos
4 747En existencias
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Min.: 1
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: 800

Si SMD/SMT D2PAK-3 (TO-263-3) N-Channel 1 Channel 100 V 31 A 31 mOhms - 15 V, 15 V 1.7 V 22.8 nC - 55 C + 175 C 96 W Enhancement Reel, Cut Tape, MouseReel
Nexperia Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) SOT669 N-CH 80V 84A
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2 916En existencias
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: 1 500

Si SMD/SMT SOT-669-5 N-Channel 1 Channel 80 V 84 A 8.1 mOhms - 15 V, 15 V 1.7 V 44.2 nC - 55 C + 175 C 194 W Enhancement Reel, Cut Tape, MouseReel
Nexperia Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) BUK9Y25-80E/SOT669/LFPAK
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8 357En existencias
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: 1 500

Si SMD/SMT SOT-669-5 N-Channel 1 Channel 80 V 37 A 22.2 mOhms - 15 V, 15 V 1.7 V 17.1 nC - 55 C + 175 C 95 W Enhancement Reel, Cut Tape, MouseReel
Nexperia Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) SOT669 N-CH 80V 89A
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19 304En existencias
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: 1 500

Si SMD/SMT LFPAK-56-5 N-Channel 1 Channel 80 V 89 A 7.3 mOhms - 20 V, 20 V 3 V 51.6 nC - 55 C + 175 C 195 W Enhancement Reel, Cut Tape, MouseReel
Nexperia Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) SOT1205 2NCH 40V 30A
Hoja de datos
20 313En existencias
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: 1 500

Si SMD/SMT LFPAK-56D-8 N-Channel 2 Channel 40 V 30 A 17.1 mOhms - 15 V, 15 V 1.7 V 14.5 nC - 55 C + 175 C 38 W Enhancement Reel, Cut Tape, MouseReel
Nexperia Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) SOT1205 2NCH 40V 30A
Hoja de datos
9 315En existencias
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Min.: 1
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: 1 500

Si SMD/SMT LFPAK-56D-8 N-Channel 2 Channel 40 V 30 A 7.66 mOhms - 15 V, 15 V 1.7 V 15.7 nC - 55 C + 175 C 53 W Enhancement Reel, Cut Tape, MouseReel
Nexperia Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) SOT669 N-CH 60V 17A
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1 247En existencias
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Min.: 1
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: 1 500

Si SMD/SMT LFPAK-56-5 N-Channel 1 Channel 60 V 17 A 38.2 mOhms - 20 V, 20 V 3 V 7.8 nC - 55 C + 175 C 37 W Enhancement Reel, Cut Tape, MouseReel
Nexperia Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) SOT669 N-CH 40V 26A
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1 967En existencias
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: 1 500

Si SMD/SMT LFPAK-56-5 N-Channel 1 Channel 40 V 26 A 22.7 mOhms - 20 V, 20 V 3 V 7.9 nC - 55 C + 175 C 37 W Enhancement Reel, Cut Tape, MouseReel
Nexperia Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) SOT1205 100V 26A N-C H
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1 994En existencias
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Min.: 1
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: 1 500

Si SMD/SMT LFPAK-56D-8 N-Channel 2 Channel 100 V 26 A 26.6 mOhms - 15 V, 15 V 1.7 V 27.3 nC - 55 C + 175 C 64 W Enhancement Reel, Cut Tape, MouseReel
Nexperia Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) BUK9Y15-100E/SOT669/LFPAK
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1 423En existencias
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Min.: 1
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: 1 500

Si SMD/SMT SOT-669-5 N-Channel 1 Channel 100 V 69 A 12.1 mOhms - 15 V, 15 V 1.7 V 45.8 nC - 55 C + 175 C 195 W Enhancement Reel, Cut Tape, MouseReel
Nexperia Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) BUK763R8-80E/SOT404/D2PAK
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705En existencias
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Min.: 1
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: 800

Si SMD/SMT D2PAK-3 (TO-263-3) N-Channel 1 Channel 80 V 120 A 3.8 mOhms - 20 V, 20 V 3 V 169 nC - 55 C + 175 C 357 W Enhancement Reel, Cut Tape, MouseReel
Nexperia Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) BUK9Y7R6-40E/SOT669/LFPAK
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3 000En existencias
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Min.: 1
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: 1 500

Si SMD/SMT SOT-669-5 N-Channel 1 Channel 40 V 79 A 6.4 mOhms - 15 V, 15 V 1.7 V 16.4 nC - 55 C + 175 C 95 W Enhancement Reel, Cut Tape, MouseReel
Nexperia Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) BUK9K12-80L/SOT1205/ LFPAK56D
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828En existencias
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Min.: 1
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: 1 500

Si SMD/SMT Power SO-8 N-Channel 2 Channel 80 V 51 A 11.2 mOhms - 20 V, 20 V 2.05 V 66 nC - 55 C + 175 C 68 W Enhancement Reel, Cut Tape, MouseReel
Nexperia Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) BUK9K35-100L/SOT1205 /LFPAK56D
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1 493En existencias
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Min.: 1
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: 1 500

Si SMD/SMT Power SO-8 N-Channel 2 Channel 100 V 23 A 35 mOhms - 20 V, 20 V 2.05 V 16.5 nC - 55 C + 175 C 42 W Enhancement Reel, Cut Tape, MouseReel
Nexperia Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) BUK9M60-100L/SOT1210 /mLFPAK
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2 651En existencias
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Min.: 1
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: 1 500

Si SMD/SMT Power33-8 N-Channel 1 Channel 100 V 19 A 60 mOhms - 20 V, 20 V 2.05 V 9.8 nC - 55 C + 175 C 50.4 W Enhancement Reel, Cut Tape, MouseReel
Nexperia Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) BUK9Y4R8-60RA/SOT669/LFPAK
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857En existencias
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SOT-669-5 Reel, Cut Tape, MouseReel
Nexperia Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) BUK9Y6R0-60RA/SOT669/LFPAK 1 400En existencias
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Min.: 1
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: 1 500

SOT-669-5 Reel, Cut Tape, MouseReel
Nexperia Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) BUK9Y7R2-60RA/SOT669/LFPAK 1 500En existencias
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Min.: 1
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: 1 500

SOT-669-5 Reel, Cut Tape, MouseReel
Nexperia Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) BUK7613-60E/SOT404/D2PAK
Hoja de datos
4 800En existencias
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Min.: 1
Mult.: 1
: 800

Si SMD/SMT D2PAK-3 (TO-263-3) N-Channel 1 Channel 60 V 58 A 9.44 mOhms - 20 V, 20 V 3 V 22.9 nC - 55 C + 175 C 96 W Enhancement Reel, Cut Tape, MouseReel
Nexperia Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) SOT1205 2NCH 60V 40A
Hoja de datos
7 864En existencias
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Min.: 1
Mult.: 1
: 1 500

Si SMD/SMT LFPAK-33-8 N-Channel 2 Channel 60 V 40 A 9.3 mOhms - 20 V, 20 V 3 V 34.2 nC - 55 C + 175 C 68 W Enhancement Reel, Cut Tape, MouseReel
Nexperia Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) SOT1205 2NCH 40V 40A
Hoja de datos
4 689En existencias
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Min.: 1
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: 1 500

Si SMD/SMT LFPAK-56D-8 N-Channel 2 Channel 40 V 40 A 5.8 mOhms - 20 V, 20 V 3 V 32.3 nC - 55 C + 175 C 68 W Enhancement Reel, Cut Tape, MouseReel
Nexperia Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) SOT669 100V 85A
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17 947En existencias
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Min.: 1
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: 1 500

Si SMD/SMT SOT-669-5 N-Channel 1 Channel 100 V 85 A 8.1 mOhms - 20 V, 20 V 3 V 68 nC - 55 C + 175 C 238 W Enhancement Reel, Cut Tape, MouseReel
Nexperia Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) SOT669 N-CH 60V 100A
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15 021En existencias
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Min.: 1
Mult.: 1
: 1 500

Si SMD/SMT LFPAK-56-5 N-Channel 1 Channel 60 V 100 A 6 mOhms - 20 V, 20 V 2.4 V 45.4 nC - 55 C + 175 C 195 W Enhancement Reel, Cut Tape, MouseReel
Nexperia Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) SOT669 N-CH 80V 100A
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3 157En existencias
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Min.: 1
Mult.: 1
: 1 500

Si SMD/SMT LFPAK-56-5 N-Channel 1 Channel 80 V 100 A 5.9 mOhms - 20 V, 20 V 3 V 63.3 nC - 55 C + 175 C 238 W Enhancement Reel, Cut Tape, MouseReel