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 Fabricante:
Descripción Hoja de datos Disponibilidad Precio: (CRC) Filtre los resultados en la tabla por precio unitario en función de su cantidad.
Cantidad RoHS Modelo ECAD Tecnología
Estilo de montaje
Paquete / Cubierta
Polaridad del transistor
Número de canales
Vds - Tensión disruptiva entre drenaje y fuente
Id - Corriente de drenaje continua
Rds On - Resistencia entre drenaje y fuente
Vgs - Tensión entre puerta y fuente
Vgs th - Tensión umbral entre puerta y fuente
Qg - Carga de puerta
Temperatura de trabajo mínima
Temperatura de trabajo máxima
Dp - Disipación de potencia
Modo canal
Nombre comercial
Empaquetado
Toshiba Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-CH Mosfet 40V 150A 8DSOP
Hoja de datos
10 040En existencias
MouseReel Disponible
Min.: 1
Mult.: 1
: 5 000

Si SMD/SMT DSOP-8 N-Channel 1 Channel 40 V 150 A 800 uOhms - 20 V, 20 V 1.4 V 103 nC - 55 C + 175 C 170 W Enhancement U-MOSIX-H Reel, Cut Tape, MouseReel

Toshiba Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-CH Mosfet 30V 150A 8DSOP
Hoja de datos
4 889En existencias
MouseReel Disponible
Min.: 1
Mult.: 1
: 5 000

Si SMD/SMT DSOP-8 N-Channel 1 Channel 30 V 150 A 1 mOhms - 20 V, 20 V 1.3 V 74 nC - 55 C + 150 C 142 W Enhancement U-MOSVIII-H Reel, Cut Tape, MouseReel
Toshiba Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-CH Mosfet 80V 116A 8DSOP
Hoja de datos
20 754En existencias
MouseReel Disponible
Min.: 1
Mult.: 1
: 5 000

Si SMD/SMT DSOP-8 N-Channel 1 Channel 80 V 116 A 3.3 mOhms - 20 V, 20 V 2 V 59 nC - 55 C + 150 C 142 W Enhancement U-MOSVIII-H Reel, Cut Tape, MouseReel
Toshiba Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-CH Mosfet 60V N-CH Mosfet 100V
Hoja de datos
4 906En existencias
MouseReel Disponible
Min.: 1
Mult.: 1
: 5 000

Si SMD/SMT DSOP-8 N-Channel 1 Channel 100 V 92 A 4.5 mOhms - 20 V, 20 V 2 V 58 nC - 55 C + 150 C 142 W Enhancement U-MOSVIII-H Reel, Cut Tape, MouseReel